中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司罗浩获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440817B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110619144.5，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体结构及其形成方法是由罗浩设计研发完成，并于2021-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括依次堆叠的承载基底、绝缘埋层和器件基底；绝缘埋层包括底部绝缘层、凸出于器件区的底部绝缘层的支撑部以及位于底部绝缘层上且覆盖支撑部侧壁的牺牲层，牺牲层位于隔离区且还延伸位于部分的器件区；去除位于隔离区的至少器件基底，形成沟槽，暴露出牺牲层；去除牺牲层，形成由底部绝缘层与支撑部以及器件基底围成的空腔；在空腔露出的器件基底底面以及沟槽侧壁的器件基底上形成衬垫氧化层。空腔为衬垫氧化层在器件基底下方提供形成空间和膨胀空间，有利于防止由于衬垫氧化层在器件基底底面的形成和膨胀而对器件基底产生应力，降低器件基底在靠近器件区边缘位置处发生翘曲的风险。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括多个分立的器件区以及位于所述器件区之间的隔离区；所述基底包括：承载基底；底部绝缘层，位于所述承载基底上；支撑部，凸出于所述器件区的底部绝缘层，所述支撑部暴露出的所述底部绝缘层位于所述隔离区和部分的所述器件区的顶面；器件基底，位于所述器件区的底部绝缘层上方且与所述支撑部相接触，所述器件基底与所述底部绝缘层以及所述支撑部围成空腔； 衬垫氧化层，位于所述空腔露出的所述器件基底的底面、以及所述器件基底的侧壁； 隔离层，填充于所述空腔内以及相邻的所述器件基底之间，且所述隔离层覆盖所述衬垫氧化层； 栅极结构，位于所述器件区的器件基底上； 源漏掺杂区，位于所述栅极结构两侧的所述器件基底内。
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