无锡华润微电子有限公司张晓荣获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润微电子有限公司申请的专利P型GaN基高电子迁移率晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483106B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110601948.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权P型GaN基高电子迁移率晶体管及其制造方法是由张晓荣;孙国臻;杨凯;林晓霞设计研发完成，并于2021-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本P型GaN基高电子迁移率晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种P型GaN基高电子迁移率晶体管及其制造方法，所述方法包括：获取基底；基底包括沟道层、沟道层上的一次外延势垒层及所述一次外延势垒层上的栅极结构，栅极结构的材料为P型掺杂的GaN；在栅极结构的两侧形成源极凹槽和漏极凹槽，源极凹槽和漏极凹槽从一次外延势垒层的上表面向下延伸至沟道层；在基底上二次外延形成二次外延势垒层，二次外延势垒层的材料与一次外延势垒层的材料相同；形成源电极、漏电极及栅电极；源电极在源极凹槽与外延层形成欧姆接触，漏电极在漏极凹槽与外延层形成欧姆接触。本发明可以同时满足器件的高阈值电压与有源区的低方块电阻要求。
本发明授权P型GaN基高电子迁移率晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种P型GaN基高电子迁移率晶体管的制造方法，包括： 获取基底；所述基底包括沟道层、所述沟道层上的一次外延势垒层及所述一次外延势垒层上的栅极结构，所述沟道层的材料为GaN，所述一次外延势垒层的材料为AlGaN，所述栅极结构的材料为P型掺杂的GaN； 在所述栅极结构的两侧形成源极凹槽和漏极凹槽，所述源极凹槽和漏极凹槽从所述一次外延势垒层的上表面向下延伸至所述沟道层； 在所述栅极结构的两侧形成源极凹槽和漏极凹槽之后，在所述基底上二次外延形成二次外延势垒层，所述二次外延势垒层的材料与所述一次外延势垒层的材料相同； 形成源电极、漏电极及栅电极；所述源电极在所述源极凹槽与所述二次外延势垒层形成欧姆接触，所述漏电极在所述漏极凹槽与所述二次外延势垒层形成欧姆接触； 其中，所述栅极结构下方的势垒层厚度为所述栅极结构下方的一次外延势垒层厚度，所述源电极下方的势垒层厚度为所述源电极下方的二次外延势垒层厚度，所述漏电极下方的势垒层厚度为所述漏电极下方的二次外延势垒层厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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