中微半导体设备(上海)股份有限公司胡增文获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种衬底处理方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115376911B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110557429.0，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权一种衬底处理方法及系统是由胡增文;侯剑秋设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种衬底处理方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种衬底处理方法及系统，该方法包含：在衬底上形成若干个间隔件；通入沉积气体并激发成等离子体；形成聚合物沉积在间隔件表面，使相邻间隔件的距离的差值减小；通入处理气体对衬底进行刻蚀。其优点是：该方法通过通入沉积气体并激发成等离子体，进而形成聚合物沉积在间隔件的表面，根据工艺需求使相邻间隔件的距离的差值发生改变，以便后续工艺的刻蚀，提高了晶片良品率，优化了集成电路的制备流程。
本发明授权一种衬底处理方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种衬底处理方法，其特征在于，包含： 在衬底上形成若干个间隔件； 相邻的所述间隔件具有第一开口和第二开口，所述第一开口的开口距离小于所述第一开口的底部距离，所述第二开口的开口距离大于所述第二开口的底部距离； 通入沉积气体并激发成等离子体； 形成聚合物在所述第一开口对应的相邻间隔件表面沉积量小于在所述第二开口对应的相邻间隔件表面沉积量，使所述第二开口的开口距离与第一开口的开口距离之差减小； 通入处理气体对衬底进行刻蚀； 其中，所述在衬底上形成若干个间隔件包含： 通过对衬底上的核芯层进行等离子体刻蚀形成若干个核芯，所述核芯的顶部的截面呈圆弧状； 在所述核芯上通过化学气相沉积间隔层； 通过对核芯和间隔层进行等离子体刻蚀形成间隔件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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