株式会社理光堀内保获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社理光申请的专利光电转换元件,光电转换模块,电子设备,和电源模块获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115298844B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180021611.2,技术领域涉及:H10K85/10;该发明授权光电转换元件,光电转换模块,电子设备,和电源模块是由堀内保;田元望;田中裕二;兼为直道;井出陵宏设计研发完成,并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电转换元件,光电转换模块,电子设备,和电源模块在说明书摘要公布了:光电转换元件,其包括:第一载体;第一电极;电子传输层;光电转换层;空穴传输层;和第二电极,所述空穴传输层包括:包含以下通式1的重复单元的聚合物,和通式2的化合物:在通式1中,Ar1表示芳族烃,其可具有取代基;Ar2和Ar3各自独立地表示单环芳族烃、非稠合的多环芳族烃、或稠合的多环芳族烃的二价基团,其可具有取代基;Ar4表示苯、噻吩、联苯、蒽、或萘的二价基团,其可具有取代基;R1至R4各自独立地表示氢、烷基、或芳基;并且n表示2或更大、并且允许通式1的聚合物具有2,000或更大的重均分子量的整数;以及在通式2中,R5至R9可相同或不同,表示氢、卤素、烷基、烷氧基、或芳基;并且X表示阳离子。
本发明授权光电转换元件,光电转换模块,电子设备,和电源模块在权利要求书中公布了:1.光电转换元件,其包含: 第一载体; 第一电极; 电子传输层; 光电转换层; 空穴传输层;和 第二电极, 其中所述空穴传输层包括:包含由以下通式1表示的重复单元的聚合物,和由以下通式2表示的化合物: 通式1 其中,在通式1中,Ar1表示芳族烃基团,并且所述芳族烃基团可被取代基取代;Ar2和Ar3各自独立地表示单环芳族烃基团、非稠合的多环芳族烃基团、或稠合的多环芳族烃基团的二价基团,其可被取代基取代;Ar4表示苯、噻吩、联苯、蒽、或萘的二价基团,其可被取代基取代;R1至R4各自独立地表示氢原子、烷基基团、或芳基基团;并且n表示2或更大、并且允许由通式1表示的聚合物具有2,000或更大的重均分子量的整数;和 通式2 其中,在通式2中,R5至R9可彼此相同或不同,表示氢原子、卤素原子、烷基基团、烷氧基基团、或芳基基团;并且X表示阳离子, 其中包含由通式1表示的重复单元的聚合物A和由通式2表示的化合物B之间的质量比率A:B为50:1至0.5:1, 其中电子传输层在其位于光电转换层一侧的表面上的电子传输材料上包含至少一种选自以下的第一化合物:膦酸化合物、硼酸化合物、磺酸化合物、卤代甲硅烷基化合物、和烷氧基甲硅烷基化合物,和 其中所述光电转换元件在光电转换层和空穴传输层之间包含选自有机盐和无机盐的至少一种盐,所述有机盐和所述无机盐包含卤素原子作为阴离子,所述有机盐为胺的卤化氢酸盐,并且所述无机盐是碱金属的卤化物。
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