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龙图腾网获悉西安紫光国芯半导体有限公司申请的专利芯片单元和3D芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823604B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110130047.X，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权芯片单元和3D芯片是由李晓骏设计研发完成，并于2021-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片单元和3D芯片在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种芯片单元和3D芯片，其中，芯片单元包括：衬底层；金属层，金属层包括相对设置的第一表面和第二表面，金属层的第二表面设置在衬底层上；金属层穿孔组件，设置在金属层内，金属层穿孔组件包括：第一导体件、第二导体件和导体连接孔，第一导体件形成于金属层的第一表面，第二导体件形成于金属层的第二表面，导体连接孔形成于金属层内，第二导体件通过导体连接孔连接于第一导体件；衬底通孔，开设在衬底层上，连通于第二导体件；片间连接孔，连接于第一导体件和或第二导体件。该芯片单元降低了刻蚀的工艺难度，降低了占用金属层的面积，降低了电阻寄生参数和电容寄生参数，缩短了芯片单元的制备周期，降低了生产成本。

本发明授权芯片单元和3D芯片在权利要求书中公布了：1.一种芯片单元，其特征在于，包括： 衬底层； 金属层，所述金属层包括相对设置的第一表面和第二表面，所述金属层的所述第二表面设置在所述衬底层上； 金属层穿孔组件，设置在所述金属层内，所述金属层穿孔组件包括：第一导体件、第二导体件和导体连接孔，所述第一导体件形成于所述金属层的所述第一表面，所述第二导体件形成于所述金属层的所述第二表面，所述导体连接孔形成于所述金属层内，所述第二导体件通过所述导体连接孔连接于所述第一导体件，以使信号能够通过所述衬底层传输至所述第一表面； 衬底通孔，开设在所述衬底层上，连通于所述第二导体件； 片间连接孔，连接于所述第一导体件和或所述第二导体件； 衬底导体件，设置在所述衬底层内； 所述衬底通孔包括底部通孔和中间连接孔，所述底部通孔开设在所述衬底的底部，连通于所述衬底导体件，所述中间连接孔位于所述衬底导体件和所述第二导体件之间，所述衬底导体件通过所述中间连接孔连通于所述第二导体件，其中，所述衬底通孔沿衬底高度方向的截面为多边形，所述多边形靠近所述金属层的第一边的长度小于所述多边形远离所述金属层的第二长边的长度，所述衬底通孔一端为扩口端，一端为收口端，所述收口端朝向金属层一侧设置； 所述片间连接孔通过所述衬底导体件与所述第二导体件相连接。

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