台湾积体电路制造股份有限公司黄侦晃获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140513B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110048098.8，技术领域涉及：H10D84/02；该发明授权半导体装置的制造方法是由黄侦晃;谢明哲;张正忠;徐绍华;张书维;魏安祺;王祥保;陈嘉仁设计研发完成，并于2021-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体装置的制造方法。揭示了在半导体装置中形成气体间隔物的方法以及包含气体间隔物的半导体装置。根据一实施例，方法包含在基底上方形成栅极堆叠；在栅极堆叠的侧壁上形成第一栅极间隔物；在第一栅极间隔物的侧壁上形成第二栅极间隔物；使用蚀刻制程移除第二栅极间隔物以形成第一开口，蚀刻制程在小于0℃的温度下进行，蚀刻制程使用包含氟化氢的蚀刻溶液；以及在第一栅极间隔物和栅极堆叠上方沉积介电层，介电层在第一开口中密封气体间隔物。
本发明授权半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，包括： 在一基底上方形成一栅极堆叠； 在该栅极堆叠的侧壁上形成一第一栅极间隔物； 在该第一栅极间隔物的侧壁上形成一第二栅极间隔物； 形成一源极漏极区邻近该栅极堆叠； 使用一蚀刻制程移除该第二栅极间隔物以形成一第一开口暴露出该源极漏极区的底表面以及在该第一栅极间隔物的顶表面下方的该第一栅极间隔物的一水平表面，其中该蚀刻制程在小于0℃的温度下进行，其中该蚀刻制程使用包括氟化氢的蚀刻溶液；以及 在该第一栅极间隔物和该栅极堆叠上方沉积一介电层，该介电层在该第一开口中密封一气体间隔物。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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