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龙图腾网获悉华润微集成电路(无锡)有限公司申请的专利自举电路中实现提高功率MOS管栅压的栅极驱动电路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114696573B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011609108.2，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权自举电路中实现提高功率MOS管栅压的栅极驱动电路结构是由王大选;刘卫中;卜惠琴;牛瑞萍;蒋亚平设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本自举电路中实现提高功率MOS管栅压的栅极驱动电路结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种自举电路中实现提高功率MOS管栅压的栅极驱动电路结构，包括一级驱动模块、二级驱动模块和端口驱动模块，所述的一级驱动模块、二级驱动模块和端口驱动模块依次相连，所述的一级驱动模块用于负责驱动第二PMOS管P2的开启及关闭；所述的二级驱动模块用于控制驱动电路内置功率管P1的开启与关闭；所述的端口驱动模块用于驱动外置功率MOS管。采用了本发明的自举电路中实现提高功率MOS管栅压的栅极驱动电路结构，在采用薄栅氧器件的条件下，通过提高栅极驱动电压的方式，降低驱动外部功率MOS管的RDSON，提高的整体工作效率，本结构可同时应用于驱动高低侧不同的功率管，仅通过调整内部电阻或电流基准的值，就可以适应不同的工作电压，具有广阔的应用前景。

本发明授权自举电路中实现提高功率MOS管栅压的栅极驱动电路结构在权利要求书中公布了：1.一种自举电路中实现提高功率MOS管栅压的栅极驱动电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括一级驱动模块、二级驱动模块和端口驱动模块，所述的一级驱动模块、二级驱动模块和端口驱动模块依次相连，所述的端口驱动模块包含第一PMOS管，所述的二级驱动模块包含第二PMOS管，所述的第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的漏极相连，第一PMOS管的源极与第二PMOS管的源极相连，所述的第二PMOS管的栅极与一级驱动模块相连，所述的一级驱动模块用于控制第二PMOS管的开启及关闭；所述的二级驱动模块用于控制第一PMOS管的开启与关闭；所述的端口驱动模块用于驱动外置的功率MOS管； 所述的二级驱动模块还包括反相器、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第三恒定电流源、第二多晶电阻、第四多晶电阻、齐纳二极管、第三多晶电阻、脉冲产生电路； 所述的反相器I5的输入端接输入信号，输出端与第三NMOS管的栅极相连，第三NMOS管的源极通过第三恒定电流源接地，第三NMOS管的漏极与第四NMOS管的源极相连；第四NMOS管的栅极接数字逻辑的电压VDD，第四NMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极相连，第二PMOS管的栅极与一级驱动模块的第五NMOS管的漏极相连，所述的第二多晶电阻的两端、第四多晶电阻及齐纳二极管串联的两端和第二PMOS管的源极和漏极均并联连接；第二NMOS管的源极接地，第二NMOS管的漏极通过第三多晶电阻与第三NMOS管的漏极相连；反相器的输出端通过脉冲产生电路产生短脉冲控制第二NMOS管的栅极；所述的一级驱动模块的第五NMOS管的栅极接输入信号，所述的第一PMOS管的源极是端口驱动模块的输出，用于驱动外置的功率MOS管。

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