江苏宏微科技股份有限公司张景超获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏宏微科技股份有限公司申请的专利SiC MOSFET功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112531017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011552653.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权SiC MOSFET功率器件是由张景超;赵善麒设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本SiC MOSFET功率器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种新型SiCMOSFET功率器件，包括：衬底；漏极金属层，漏极金属层设置于衬底下；漂移区，漂移区设置于衬底上；阱区，阱区设置于漂移区上；源区，源区设置于阱区上；沟道区，沟道区设置于阱区上；沟槽，沟槽平行于沟道区中沟道电流方向设置，并且沟槽穿过沟道区并到达源区；栅极金属层，栅极金属层设置于沟槽上；源极金属层，源极金属层设置于栅极金属层上。本发明能够增加沟槽侧壁的沟道宽度，并且由于碳化硅不同面具有不同的电子迁移率，因此可以选择相对高电子迁移率的侧面，从而能够保证沟槽侧壁的反型层电子迁移率高于器件表面的反型层电子迁移率，以有效降低器件的沟道电阻。
本发明授权SiC MOSFET功率器件在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET功率器件，其特征在于，包括： 衬底； 漏极金属层，所述漏极金属层设置于所述衬底下； 漂移区，所述漂移区设置于所述衬底上； 阱区，所述阱区设置于所述漂移区上； 源区，所述源区设置于所述阱区上； 沟道区，所述沟道区设置于所述阱区上； 沟槽，所述沟槽平行于所述沟道区中沟道电流方向设置，并且所述沟槽穿过所述沟道区并到达所述源区； 栅极金属层，所述栅极金属层设置于所述沟槽上； 源极金属层，所述源极金属层设置于所述栅极金属层上， 其中，所述阱区包括第一阱区和第二阱区；所述源区和所述沟道区的深度大于所述沟槽的深度，并且所述第二阱区的深度大于所述沟道区和所述源区的深度，所述沟槽底部设有浮空区，在所述浮空区周边还设有掺杂物质以形成掺杂区， 其中，所述漂移区为N-区，所述阱区为P+区，所述源区为N+区，所述沟道区为P-区，所述浮空区为P+区，所述掺杂区为N+区。
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