中微半导体设备(上海)股份有限公司黄秋平获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种电感耦合等离子处理装置及其刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678270B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011544771.9，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权一种电感耦合等离子处理装置及其刻蚀方法是由黄秋平;许颂临设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电感耦合等离子处理装置及其刻蚀方法在说明书摘要公布了：一种用于电感耦合等离子体处理装置的刻蚀方法，所述电感耦合等离子处理装置包括一反应腔，反应腔顶部包括绝缘窗和位于绝缘窗上方的电感线圈装置，其中绝缘窗中心包括一进气喷头，反应腔内还包括一基座，待处理基片位于所述基座上，所述进气喷头用于将处理气体输入反应腔中，其特征在于：所述经过进气喷头输入反应腔的处理气体包括刻蚀气体和惰性气体，其中刻蚀气体用于与待处理基片上的材料反应进行刻蚀，所述惰性气体的流量大于刻蚀气体流量的23。
本发明授权一种电感耦合等离子处理装置及其刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种用于电感耦合等离子体处理装置的刻蚀方法，所述电感耦合等离子体处理装置包括一反应腔，反应腔顶部包括绝缘窗和位于绝缘窗上方的电感线圈装置，其中绝缘窗中心包括一进气喷头，反应腔内还包括一基座，待处理基片位于所述基座上，所述进气喷头用于将处理气体输入反应腔中，其特征在于： 通过进气喷头提供所述处理气体到反应腔，点燃等离子体对待处理基片进行等离子处理，输入反应腔的处理气体包括刻蚀气体和惰性气体，其中刻蚀气体用于与待处理基片上的材料反应进行刻蚀，所述惰性气体的流量大于等于刻蚀气体流量的2倍； 所述进气喷头包括位于中心的第一进气喷口，围绕所述第一进气喷口的多个第二进气喷口，所述第二进气喷口输出的气体朝向下方基片的边缘区域喷出，一个气体分配器控制输入到第一和第二进气喷口的气流成分或流量比例； 所述电感线圈装置包括第一和第二电感线圈，其中第一电感线圈位于绝缘窗中心区域，第二电感线圈围绕所述第一电感线圈； 输入到第一电感线圈的功率大于输入到第二电感线圈的功率。
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