山东浪潮华光光电子股份有限公司徐晓强获国家专利权
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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种砷化镓LED晶片电压与TCL膜层关系的验证方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649229B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011501424.8，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种砷化镓LED晶片电压与TCL膜层关系的验证方法是由徐晓强;程昌辉;吴向龙;闫宝华;王成新设计研发完成，并于2020-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种砷化镓LED晶片电压与TCL膜层关系的验证方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种砷化镓LED晶片电压与TCL膜层关系的验证方法，属于半导体加工技术领域，包括步骤如下：1晶片准备：将在砷化镓衬底上依次生长有外延层、TCL膜层、电极的LED晶片备好待用；2测试点制作：使用光刻胶或电极的光刻板制作掩膜图形，该掩膜图形位于整个晶片表面，使用腐蚀液将其它区域的TCL膜层腐蚀掉，并进行去胶，制作出测试点；3欧姆接触测试：使用测试机台扎测相邻两个测试点间的I‑V曲线，由曲线是否为直线判断该ITO与外延层间是否接触完好，验证后即可获得相应的关系信息，以得到与该验证管芯同时或者同批次制作的管芯的质量好坏，方便做出工艺或者方法的调整，以避免较大的损失，提高产品良率。
本发明授权一种砷化镓LED晶片电压与TCL膜层关系的验证方法在权利要求书中公布了：1.一种砷化镓LED晶片电压与TCL膜层关系的验证方法，其特征在于，包括步骤如下： （1）晶片准备：将在砷化镓衬底上依次生长有外延层、TCL膜层、电极的LED晶片备好待用； 所述的TCL膜层，为ITO膜层，电极为Cr、Ti、Al、Pt、Au、Ni、Ge、Ag其中的一种金属制作而成； （2）测试点制作：使用光刻胶或电极的光刻板制作掩膜图形，该掩膜图形位于整个晶片表面，使用腐蚀液将其它区域的TCL膜层腐蚀掉，并进行去胶，制作出测试点；掩模图形与电极错位分布；测试点线径的大小为50-100μm之间； （3）欧姆接触测试：使用测试机台扎测相邻两个测试点间的I-V曲线； 测试后根据I-V曲线斜率判断欧姆接触的好坏，若是直线则判定该ITO与外延层间接触完好。
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