深圳市华科创智技术有限公司潘莹莹获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华科创智技术有限公司申请的专利一种纳米银导电膜及大尺寸纳米银电容屏获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112506385B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011389038.4，技术领域涉及：G06F3/044；该发明授权一种纳米银导电膜及大尺寸纳米银电容屏是由潘莹莹;林仪珊;庄桂生;李晓明设计研发完成，并于2020-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纳米银导电膜及大尺寸纳米银电容屏在说明书摘要公布了：本发明涉及纳米银导电膜领域，尤其涉及一种可降低纳米银膜通道失效率的纳米银导电膜及大尺寸纳米银电容屏。本发明的纳米银导电膜，导电膜上分别蚀刻有TX方向激光图案和RX方向激光图案，导电膜沿TX方向分为中间部分和边缘部分，中间部分TX方向激光图案的线距大于边缘部分TX方向激光图案的线距。本发明通过微扩TX方向蚀刻激光图案中间部分的线距，可在维持电流强度、不影响触控效果的条件下，弱化电流冲击对纳米银形态的破坏，可更为有效地维持纳米银线连接强度及形态，降低TX方向导电膜中部纳米银线层的失效率，进而控制电阻在稳定范围，延长电容屏的使用寿命。
本发明授权一种纳米银导电膜及大尺寸纳米银电容屏在权利要求书中公布了：1.一种纳米银导电膜，应用于大尺寸纳米银电容屏，其特征在于，所述导电膜上分别蚀刻有TX方向激光图案和RX方向激光图案，所述导电膜在RX方向采用单边通电，所述导电膜在TX方向横向宽度大，采用双边通电，所述导电膜沿TX方向分为中间部分和边缘部分，所述中间部分TX方向激光图案的线距大于边缘部分TX方向激光图案的线距，所述中间部分TX方向激光图案的线距比边缘部分TX方向激光图案的线距加宽0.2-0.3mm，所述中间部分占据所述导电膜TX方向范围的20-22%。
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