山东浪潮华光光电子股份有限公司彭璐获国家专利权
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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种新型AlGaInP四元LED芯片制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114583017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011368380.6，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种新型AlGaInP四元LED芯片制备方法是由彭璐;王彦丽;郑波设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型AlGaInP四元LED芯片制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种新型AlGaInP四元LED芯片制备方法，该方法包括1在外延片的表面蒸镀ITO；2在ITO的表面制备光刻胶图形；3对光刻胶图形进行ICP刻蚀，刻蚀至ITO表面的光刻胶完全消耗；缺少光刻胶保护的ITO区域产生了深刻蚀，形成开孔区域；被光刻胶保护的ITO区域产生了浅刻蚀，形成粗化区域；4在外延片的表面再次蒸镀ITO；5制备P面金属电极图形；6利用电子束蒸发法蒸镀P面金属电极；7研磨衬底；8蒸镀N面金属电极；9切割获得独立的芯片。该制备方法采用干法刻蚀进行粗化，此种方法不使用粗化液，无需进行去胶作业，具有时效快、成本低、环保等特点。
本发明授权一种新型AlGaInP四元LED芯片制备方法在权利要求书中公布了：1.一种新型AlGaInP四元LED芯片制备方法，其特征在于，该制备方法包括： 1在外延片的表面蒸镀ITO，所述外延片包括自下到上依次设置的GaAs衬底、缓冲层、N型层、量子阱和P型层； 2在ITO的表面制备光刻胶，利用光刻工艺制备光刻胶图形； 3根据步骤2制备的光刻胶图形进行ICP刻蚀，刻蚀至ITO表面的光刻胶完全消耗； 缺少光刻胶保护的ITO区域产生了深刻蚀，形成开孔区域； 被光刻胶保护的ITO区域产生了浅刻蚀，形成粗化区域； 根据步骤2制备的光刻胶图形分时间段调控ICP刻蚀的气体、ICP刻蚀的功率进行ICP刻蚀，获得不同的粗化结构； 4在外延片的表面再次蒸镀ITO； 5制备光刻胶，制备P面金属电极图形； 6利用电子束蒸发法蒸镀P面金属电极； 7研磨衬底； 8在研磨后衬底的表面蒸镀N面金属电极； 9通过切割，获得独立的芯片。
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