中微半导体设备(上海)股份有限公司杨金全获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种限制环及其制作方法、以及等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551199B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011302303.0，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种限制环及其制作方法、以及等离子体处理装置是由杨金全;傅时梁;王明明设计研发完成，并于2020-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种限制环及其制作方法、以及等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种限制环及其制作方法、以及等离子体处理装置，通过在气体通道内设置非纵向弯折部，增大了等离子体与气体通道碰撞几率，有效的将等离子体限制在处理区域内，大大减小了深宽比，从而降低了气阻。
本发明授权一种限制环及其制作方法、以及等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种限制环，其用于等离子体处理装置，设置于所述等离子体处理装置的处理区域和排气区域之间，其特征在于：包括： 环状本体，所述环状本体具有上表面和与上表面相对的下表面； 所述环状本体包括至少一个气体通道，所述气体通道贯穿所述上表面和下表面；所述气体通道包括位于上表面和下表面之间的至少一个非纵向弯折部； 所述气体通道还包括：主通道、以及至少两个与同一主通道相通的副通道； 其中，所述非纵向弯折部位于主通道和副通道的连接处； 所述限制环还包括间隔部；与同一主通道连通的副通道之间通过间隔部间隔开，所述间隔部在朝向所述主通道一侧具有非纵向面； 所述主通道宽度等于所有副通道宽度之和； 位于所述非纵向弯折部的气体通道与上表面或下表面的角度为大于等于0°小于90°。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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