三星电子株式会社吴成一获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利电子系统、堆叠式存储器装置及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113284531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011268234.6，技术领域涉及：G11C11/401；该发明授权电子系统、堆叠式存储器装置及其操作方法是由吴成一;孙教民设计研发完成，并于2020-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子系统、堆叠式存储器装置及其操作方法在说明书摘要公布了：公开了电子系统、堆叠式存储器装置及其操作方法。该堆叠式存储器装置包括缓冲半导体裸片、多个存储器半导体裸片、多个贯穿硅过孔、FIM前端电路和多个FIM后端电路。缓冲半导体裸片被配置为与主机装置通信。存储器半导体裸片堆叠在缓冲器半导体裸片上，且包括多个存储器存储体。贯穿硅过孔使缓冲器半导体裸片与存储器半导体裸片电连接。FIM前端电路从主机装置接收用于FIM操作的多个FIM指令且存储FIM指令。FIM操作包括基于从存储器存储体读取的内部数据的数据处理。FIM后端电路分别包括在存储器半导体裸片中。FIM后端电路在FIM前端电路的控制下执行与存储在FIM前端电路中的多个FIM指令对应的FIM操作。
本发明授权电子系统、堆叠式存储器装置及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种堆叠式存储器装置，所述堆叠式存储器装置包括： 缓冲器半导体裸片，被配置为与主机装置通信； 多个存储器半导体裸片，堆叠在缓冲器半导体裸片上，所述多个存储器半导体裸片包括多个存储器存储体； 多个贯穿硅过孔，使缓冲器半导体裸片与所述多个存储器半导体裸片电连接； 内存功能前端电路，被配置为从主机装置接收用于内存功能操作的多个内存功能指令并且存储所述多个内存功能指令，其中，内存功能操作包括基于从所述多个存储器存储体读取的内部数据的数据处理；以及 多个内存功能后端电路，位于所述多个存储器半导体裸片中的相应的存储器半导体裸片中，其中，所述多个内存功能后端电路被配置为在内存功能前端电路的控制下执行与存储在内存功能前端电路中的所述多个内存功能指令对应的内存功能操作。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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