三星电子株式会社曹永真获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括存储单元串的垂直非易失性存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130508B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010805334.1，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权包括存储单元串的垂直非易失性存储器件是由曹永真;尹政昊;金世润;金真弘;水崎壮一郎设计研发完成，并于2020-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括存储单元串的垂直非易失性存储器件在说明书摘要公布了：公开了一种垂直非易失性存储器件，其包括使用电阻变化材料的存储单元串。该非易失性存储器件的每个存储单元串包括：半导体层，在第一方向上延伸并具有与第二表面相反的第一表面；多个栅极和多个绝缘体，在第一方向上交替地布置并在垂直于第一方向的第二方向上延伸；栅极绝缘层，在所述多个栅极与半导体层的第一表面之间以及在所述多个绝缘体与半导体层的第一表面之间沿第一方向延伸；以及电介质膜，在半导体层的第二表面上沿第一方向延伸并具有分布在其中的多个可移动的氧空位。
本发明授权包括存储单元串的垂直非易失性存储器件在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器件，包括： 多个存储单元串，所述多个存储单元串中的每个包括： 半导体层，在第一方向上延伸并且具有与第二表面相反的第一表面， 多个栅极和多个绝缘体，在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸,所述多个栅极和所述多个绝缘体在所述第一方向上交替地布置， 栅极绝缘层，在所述多个栅极与所述半导体层的所述第一表面之间以及在所述多个绝缘体与所述半导体层的所述第一表面之间沿所述第一方向延伸，以及 电介质膜，在所述半导体层的所述第二表面上沿所述第一方向延伸，所述电介质膜具有分布在其中的可移动的多个氧空位， 其中当所述多个氧空位均匀地分散在所述电介质膜中时，所述电介质膜处于高电阻状态，以及当所述多个氧空位朝向与所述半导体层的界面移动并分布在与所述半导体层的所述界面处时，所述电介质膜处于低电阻状态。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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