帝奥微电子有限公司吕宇强获国家专利权
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龙图腾网获悉帝奥微电子有限公司申请的专利一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111508952B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010496647.3，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路是由吕宇强;鞠建宏;倪胜中设计研发完成，并于2020-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路，包括：第一开关管、第二开关管、第一保护管及第二保护管；所述第一开关管与所述第二开关管并联，所述第一保护管设置于所述第一开关管的体区结点，所述第二保护管设置于所述第二开关管的体区结点，且所述第一保护管与所述第二保护管连接；本发明彻底消除静电释放器件部分带来的对地寄生电容，从而大大降低高频信号传输衰减。
本发明授权一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路在权利要求书中公布了：1.一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路，其特征在于，包括：第一开关管、第二开关管、第一保护管及第二保护管； 所述第一开关管与所述第二开关管并联，所述第一保护管设置于所述第一开关管的体区结点，所述第二保护管设置于所述第二开关管的体区节点，且所述第一保护管与所述第二保护管连接； 还包括：第一开关管体区偏置电路，所述第一开关管体区偏置电路设置于第一开关管的体区节点上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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