三菱电机株式会社川畑直之获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115004342B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080094157.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法是由川畑直之;永久雄一;田中贵规;岩松俊明设计研发完成，并于2020-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本公开的目的在于提供一种生产性优良且抑制在体二极管中流过大电流时的特性劣化的碳化硅半导体装置。包括SiC基板10、缓冲层11以及漂移层12的构造体在俯视时被划分成在对SiC‑MOSFET101施加电压时流过电流的活性区域13和比活性区域13更靠外周侧的耐压保持区域14，活性区域13在俯视时被划分成中央部的第1活性区域15、和第1活性区域15与耐压保持区域14之间的第2活性区域16。第2活性区域16以及耐压保持区域14中的少数载流子的寿命比第1活性区域15中的少数载流子的寿命短。
本发明授权碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体装置，具备： 第1导电类型的碳化硅基板； 第1导电类型的缓冲层，形成于所述碳化硅基板上； 第1导电类型的漂移层，形成于所述缓冲层上； 第2导电类型的阱区域，形成于所述漂移层的表层； 作为第1导电类型的杂质区域的源极区域，形成于所述阱区域的表层；以及 源极焊盘，与所述源极区域电连接， 其中，包括所述碳化硅基板、所述缓冲层以及所述漂移层的构造体在俯视时被划分成在对所述碳化硅半导体装置施加了电压时流过电流的活性区域和比所述活性区域更靠外周侧的耐压保持区域， 所述活性区域在俯视时被划分成中央部的第1活性区域和在所述第1活性区域与所述耐压保持区域之间的第2活性区域， 所述第1活性区域和所述第2活性区域被所述源极焊盘覆盖， 所述第2活性区域以及所述耐压保持区域中的少数载流子的寿命比所述第1活性区域中的少数载流子的寿命短。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号