意法半导体国际有限公司A·库玛获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体国际有限公司申请的专利提高低电源电压环境下SRAM稳定性的字线欠驱动的脉冲应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110875074B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910828428.8，技术领域涉及：G06F12/00；该发明授权提高低电源电压环境下SRAM稳定性的字线欠驱动的脉冲应用是由A·库玛;M·A·阿拉姆设计研发完成，并于2019-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高低电源电压环境下SRAM稳定性的字线欠驱动的脉冲应用在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及提高低电源电压环境下SRAM稳定性的字线欠驱动的脉冲应用。耦合到存储器单元的字线与在存储器单元处执行读写操作相关地被选择。在所选择的字线上断言字线信号。字线信号的断言具有前沿和后沿，并且在前沿和后沿之间具有一系列字线欠驱动脉冲。每个字线欠驱动脉冲使字线电压从第一电压水平下降到第二电压水平，然后从第二电压水平上升到第一电压水平。第一和第二电压水平都大于存储器单元的地电压。
本发明授权提高低电源电压环境下SRAM稳定性的字线欠驱动的脉冲应用在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： 解码地址以选择耦合到存储器单元的字线； 在所选择的所述字线上断言字线信号，以在所述存储器单元处执行读写操作，所断言的所述字线信号具有前沿和后沿；以及 在所述前沿和所述后沿之间，将多个字线欠驱动脉冲应用到所断言的所述字线信号，每个字线欠驱动脉冲使所断言的所述字线信号的电压从第一电压水平下降到第二电压水平，并且然后从所述第二电压水平上升到所述第一电压水平； 其中所述第一电压水平和所述第二电压水平两者均大于所述存储器单元的地电压；以及 其中在应用所述多个字线欠驱动脉冲期间，所述存储器单元的真实位线电压与互补位线电压之间的差异被增加。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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