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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构，半导体结构制备方法及其用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110943070B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811117587.9，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体结构，半导体结构制备方法及其用途是由吴公一;徐朋辉;陈龙阳设计研发完成，并于2018-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构，半导体结构制备方法及其用途在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构，半导体结构制备方法及其用途，所述制备方法包括，提供一衬底，所述衬底中嵌有至少一个第一金属结构；所述第一金属结构顶面与所述衬底顶面处于同一平面；于所述衬底上形成一层间介质层；于所述层间介质层中形成至少一个沟槽，所述沟槽显露出所述第一金属结构顶面；于所述沟槽侧壁形成一扩散阻挡层；以及于形成有所述扩散阻挡层的所述沟槽中形成第二金属结构，所述第二金属结构与所述第一金属结构直接接合以实现电连接。利用本发明，通过去除底部的扩散阻挡层，不仅降低互连接触电阻，减少RC延迟，而且还能保护层间介质层，提高通孔填充质量，另外还能采用绝缘材料作为扩散阻挡层，提高器件的电性能稳定性和可靠性。

本发明授权半导体结构，半导体结构制备方法及其用途在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构制备方法，其特征在于， 包括： 提供一衬底，所述衬底中嵌有至少一个第一金属结构； 所述第一金属结构顶面与所述衬底顶面处于同一平面； 于所述衬底上形成一层间介质层； 所述衬底与所述层间介质层之间还形成一第一停止层，所述层间介质层上还形成有一第二停止层； 所述制备方法还包括： 于所述第二停止层和所述层间介质层中形成至少一个沟槽，所述沟槽显露出所述第一停止层的顶面； 于所述沟槽的内壁形成扩散阻挡层材料； 去除位于所述沟槽底部的所述扩散阻挡层材料，以于所述沟槽的侧壁上形成所述扩散阻挡层，且显露出所述第一停止层； 去除显露出的部分所述第一停止层，以于所述第一停止层中形成第一开口，所述第一开口显露出所述第一金属结构顶面； 以及 于侧壁形成有所述扩散阻挡层的所述沟槽中以及所述第一开口中形成第二金属结构，所述第二金属结构与所述第一金属结构直接接合以实现电连接； 其中，所述第二停止层的厚度大于所述第一停止层的厚度。

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