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龙图腾网获悉洛阳理工学院申请的专利一种高稳定ITO导电玻璃及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120328874B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510822946.4，技术领域涉及：C03C17/34；该发明授权一种高稳定ITO导电玻璃及其制备方法是由于仕辉;杨子枫;赵乐;杨盼;李千慧设计研发完成，并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高稳定ITO导电玻璃及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及功能玻璃技术领域，具体是一种高稳定ITO导电玻璃及其制备方法。先在玻璃基底上沉积ITO薄膜，再制备苯丙乳液涂层并干燥，涂层形成由网线和网孔构成的网状开裂模板，再在其上制备ATO薄膜，ATO薄膜一部分形成在填充于网孔内的苯丙薄膜的表面，另一部分形成在网线内，之后再制备ZnO薄膜，将ATO薄膜及其表面的ZnO薄膜记为ATOZnO薄膜，超声清洗后苯丙薄膜去除，留下位于网线内的ATOZnO薄膜，网孔内的ITO薄膜处于裸露状态，再制备与上述ATO薄膜厚度一致的Si3N4薄膜，然后将样品放入氢氧化钠溶液中，氢氧化钠与ZnO薄膜反应完毕，则ZnO薄膜及其表面的Si3N4随之脱落，网孔内形成的Si3N4薄膜保持不变，网线内留下的是ATO薄膜，最后制备一层ATO薄膜，即得到高稳定ITO导电玻璃。

本发明授权一种高稳定ITO导电玻璃及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高稳定ITO导电玻璃的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤： （1）将玻璃基底清洗干净后，利用磁控溅射技术在其表面制备一层ITO薄膜； （2）利用滚涂方法，在步骤（1）得到的ITO薄膜的表面制备一层厚度为5μm-10μm的苯丙乳液涂层，干燥后，苯丙乳液涂层形成为网状开裂模板，上述网状开裂模板由多条相互交叉的网线和网孔构成，网孔位于相邻的网线之间且网孔内填充苯丙薄膜，位于网线内的ITO薄膜处于裸露状态； （3）利用磁控溅射镀膜技术在步骤（2）得到的网状开裂模板表面制备ATO薄膜，ATO薄膜一部分形成在苯丙薄膜表面，一部分形成在网线内； （4）利用磁控溅射镀膜技术在步骤（3）所得到的ATO薄膜的表面制备ZnO薄膜，将ATO薄膜及其表面的ZnO薄膜记为ATOZnO薄膜； （5）将步骤（4）得到的样品放入丙酮中超声清洗，则填充于网孔内的苯丙薄膜被去除，即网孔内的ITO薄膜处于裸露状态，位于网线内的ATOZnO薄膜凸起在ITO薄膜的表面； （6）利用磁控溅射镀膜技术在步骤（5）所得样品的表面制备Si3N4薄膜，则Si3N4薄膜的一部分形成在网孔内，另一部分形成在网线内的ATOZnO薄膜的表面，Si3N4薄膜的厚度与步骤（3）中制备的ATO薄膜的厚度一致； （7）将步骤（6）所得样品放入氢氧化钠水溶液中，反应20-30分钟； （8）利用磁控溅射镀膜技术在步骤（7）所得样品的表面制备一层ATO薄膜，所得到的样品即为高稳定ITO导电玻璃。

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