杭州电子科技大学梁小会获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种片状MoS2@雪花状VO2(M)纳米结构电磁波吸收材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120309013B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510813462.3，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权一种片状MoS2@雪花状VO2(M)纳米结构电磁波吸收材料及其制备方法是由梁小会;彭昌西;任守玉;王敦辉设计研发完成，并于2025-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种片状MoS2@雪花状VO2(M)纳米结构电磁波吸收材料及其制备方法在说明书摘要公布了：一种片状MoS2@雪花状VO2M纳米结构电磁波吸收材料及其制备方法，首先对天然辉钼矿原料进行电化学剥离处理，获得单层至少层的MoS2纳米片；继而以所述MoS2纳米片为基底，通过水热合成工艺在其表面原位生长雪花状VO2B纳米结构；最后将所得前驱体进行热处理，促使VO2B晶型向VO2M转变，从而制得片状MoS2@雪花状VO2M纳米复合材料。该合成方法通过构建独特的雪花状分级结构与高比表面积MoS2纳米片的协同体系，显著提升了材料的介电损耗特性，所制备的复合材料展现出优异的微波吸收性能，为设计高性能电磁波吸收材料提供了新的技术路径。
本发明授权一种片状MoS2@雪花状VO2(M)纳米结构电磁波吸收材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种片状MoS2@雪花状VO2M电磁波吸收材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1，使用电化学法剥离天然辉钼矿，再通过乙醇超声清洗，得到2H相的二维片状MoS2纳米片； 步骤2，首先将V2O5与H2C2O4加入水中，加热搅拌直至得到深蓝色溶液；接着将二维片状MoS2纳米片加入所述深蓝色溶液中，超声分散处理后，转移至反应釜中进行水热反应，利用奥氏熟化效应，使反应体系中生成的VO2重新溶解并沉积，实现B相的VO2沉积物对2H相的二维片状MoS2纳米片表面的均匀包裹； 通过离心、干燥处理后，获得MoS2@VO2B复合材料； 步骤3，将步骤2制备的MoS2@VO2B复合材料进行煅烧，以将VO2从B相转化为M相，得到MoS2@雪花状VO2M电磁波吸收材料；所述VO2为雪花状粒子，粒径300~700nm。
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