合肥晶合集成电路股份有限公司张伟获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120341174B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510811824.5，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种半导体结构的制作方法是由张伟;运广涛;邵章朋;苏圣哲;罗钦贤设计研发完成，并于2025-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域，所述制作方法包括：提供一衬底，在衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化层；蚀刻部分垫氧化层、垫氮化层和衬底，形成浅沟槽；在所述浅沟槽内沉积绝缘介质，第一次平坦化处理所述绝缘介质，绝缘介质与两侧的垫氮化层齐平；微刻蚀处理垫氮化层，形成微结构层，微刻蚀采用弱物理溅射方式；氧化处理垫氮化层，形成中间氧化层；等量去除中间氧化层和部分绝缘介质；重复微刻蚀处理、氧化处理以及等量去除步骤，直至去除所述垫氮化层；去除所述垫氧化层和部分所述绝缘介质。通过本发明提供的半导体结构的制作方法，能够避免在浅沟槽隔离结构的角边缘出现凹陷现象，提高半导体结构的性能。
本发明授权一种半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤： 提供一衬底，在所述衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化层； 蚀刻部分所述垫氧化层、所述垫氮化层和所述衬底，形成浅沟槽； 在所述浅沟槽内沉积绝缘介质，第一次平坦化处理所述绝缘介质，所述绝缘介质与两侧的所述垫氮化层齐平； 微刻蚀处理所述垫氮化层，形成微结构层，所述微刻蚀采用弱物理溅射方式； 氧化处理所述垫氮化层，形成中间氧化层； 等量去除所述中间氧化层和部分所述绝缘介质； 重复微刻蚀处理、氧化处理以及等量去除步骤，直至去除所述垫氮化层；以及 去除所述垫氧化层和部分所述绝缘介质。
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