湖北九峰山实验室徐少东获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种宽禁带超高压大电流半导体器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120282555B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510775371.5，技术领域涉及：H10F30/24；该发明授权一种宽禁带超高压大电流半导体器件结构及其制作方法是由徐少东;李明哲;彭若诗;朱厉阳;袁俊;魏强民;刘兴林;卢尧;严钰婕;周弘;张进成;郝跃设计研发完成，并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种宽禁带超高压大电流半导体器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种宽禁带超高压大电流半导体器件结构及其制作方法，器件结构包括：衬底层、外延层；沟道层设于外延层上，内部镶嵌有P型半导体层，形成PN结；N型半导体层，设于P型半导体层内；栅介质层，生长于沟道层上；栅电极，沉积于栅介质层上；层间介质层，生长于沟道层上；形成有凹槽，凹槽内填充有透明绝缘体介质，构建形成有电流增益窗口，在光照作用下，光线通过电流增益窗口到达衬底层，衬底层因光照产生大量的光生载流子而在电场作用下导电；第一电极和第二电极，分别设于栅介质层和层间介质层叠加结构的两侧。该结构通过额外增加的光控单元实现氧化镓器件工作状态的转变，解决了氧化镓器件因缺乏P型掺杂而带来的导通电阻大的难题。
本发明授权一种宽禁带超高压大电流半导体器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带超高压大电流半导体器件结构，其特征在于，包括： 衬底层； 外延层，设于所述衬底层上； 沟道层，为N型Ga2O3层或GaN层，设于所述外延层上，且内部镶嵌有P型半导体层，所述P型半导体层与所述沟道层形成PN结； N型半导体层，包裹设于所述P型半导体层内； 栅介质层，生长于所述沟道层上，且完全覆盖所述N型半导体层与所述P型半导体层之间的间隙； 栅电极，沉积于所述栅介质层上； 层间介质层，生长于所述沟道层上；自所述层间介质层的上表面向下刻蚀至所述衬底层的上表面形成有凹槽，所述凹槽内填充有透明绝缘体介质，构建形成有电流增益窗口，在光照作用下，光线通过所述电流增益窗口到达所述衬底层，所述衬底层因光照产生大量的光生载流子而在电场作用下导电； 第一电极和第二电极，分别设于所述栅介质层和所述层间介质层叠加结构的两侧。
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