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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120280339B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510764238.X，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权一种半导体结构的制备方法及半导体结构是由王士京;梁洁;王兆祥;李俭;张名瑜;胥沛雯设计研发完成，并于2025-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，制备方法包括：使用刻蚀工艺对衬底进行刻蚀，以在衬底上形成高深宽比刻蚀结构；在每完成预设次数的刻蚀工艺的周期性循环步骤后，都使用不同于刻蚀工艺的处理工艺，对在高深宽比刻蚀结构形成前形成的中间结构进行去除侧壁上沉积的钝化层的部分厚度，并去除侧壁上存在且自剩余的钝化层表面上露出的凸起部的至少部分的处理。本申请通过将刻蚀工艺与侧壁处理技术进行有机结合，交替循环以平衡刻蚀速率与侧壁质量，能够实现更高深宽比和更小纳米级尺寸的深硅刻蚀。

本发明授权一种半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底的表面上形成多个掩膜图形，使用刻蚀工艺，并以所述掩膜图形为掩膜，对所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底上形成高深宽比刻蚀结构； 其中，所述刻蚀工艺包括依次按沉积步骤、刻蚀步骤形成的多次周期性循环步骤，在使用所述刻蚀工艺对所述衬底进行刻蚀过程中，在每完成预设次数的所述周期性循环步骤后，都使用不同于所述刻蚀工艺的处理工艺，对在所述高深宽比刻蚀结构形成前形成的中间结构进行一次以下处理： 去除侧壁上沉积的钝化层的部分厚度，以调节所述钝化层在所述侧壁上的厚度均匀性，避免所述钝化层反复沉积后，在所述侧壁上形成厚度过厚的所述钝化层，影响到刻蚀的均匀性和副产物的及时排除，并去除所述侧壁上存在且自剩余的所述钝化层表面上露出的凸起部的至少部分，使所述侧壁平滑化，以起到减轻所述钝化层堆积的作用，并提供向下刻蚀时的垂直导向作用； 所述处理工艺包括： 使用第一气体的等离子体，在所述侧壁上进行吸附和反应，以去除部分厚度的所述钝化层，并与露出的所述凸起部表面的衬底材料反应，在露出的所述凸起部的表面上生成易挥发的反应产物层； 使用第二气体的等离子体进行轰击，去除所述反应产物层； 对在所述高深宽比刻蚀结构形成前形成的最后一个中间结构进行最后的一次所述处理后，得到所述高深宽比刻蚀结构； 之后去除所述掩膜图形； 其中，所述沉积步骤用于在所述侧壁上形成所述钝化层，以在刻蚀时对所述侧壁进行保护，所述钝化层为聚合物，所述衬底材料包括硅，所述第一气体包括氯气，所述反应产物层包括四氯硅烷层，所述第二气体包括稀有气体。

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