苏州优晶半导体科技股份有限公司赵文超获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州优晶半导体科技股份有限公司申请的专利一种碳化硅单晶的生长装置及原位退火方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120250160B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510756885.6，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种碳化硅单晶的生长装置及原位退火方法是由赵文超;陈建明;袁长路;刘显华;吴昊设计研发完成，并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅单晶的生长装置及原位退火方法在说明书摘要公布了：本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及原位退火方法。装置包括坩埚部，坩埚部包括：坩埚本体，用于容纳原料；盖体，盖体的边缘向下延伸至与坩埚本体的上部密封连接，盖体的下表面中央向下延伸形成延伸部，延伸部的下表面用于安装籽晶，延伸部的侧面与盖体的内侧面之间形成第一环形凹槽，盖体的上表面具有沿周向设置的凹部，沿周向设置的凹部的底部和延伸部的侧面在竖直方向上对应设置。用于碳化硅单晶生长时，能够促进应力释放，减少晶体缺陷，提高晶体质量。
本发明授权一种碳化硅单晶的生长装置及原位退火方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅单晶的生长装置，包括坩埚部，其特征在于，所述坩埚部包括： 坩埚本体（1），用于容纳原料； 盖体（2），所述盖体（2）的边缘向下延伸至与所述坩埚本体（1）的上部密封连接，所述盖体（2）的下表面中央向下延伸形成延伸部（201），所述延伸部（201）的下表面用于安装籽晶，所述延伸部（201）的侧面与所述盖体（2）的内侧面之间形成第一环形凹槽（202），所述盖体（2）的上表面具有沿周向设置的凹部（203），所述沿周向设置的凹部（203）的底部和所述延伸部（201）的侧面在竖直方向上对应设置； 所述沿周向设置的凹部（203）的深度D1相对所述第一环形凹槽（202）的底部与所述盖体（2）的上表面之间的距离的占比为13~12； 所述沿周向设置的凹部（203）的宽度W1为0.3mm~1.5mm； 所述沿周向设置的凹部（203）的底部的中心径与所述延伸部（201）的直径的比值为1.0~1.2； 所述生长装置用于碳化硅单晶的原位退火。
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