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龙图腾网获悉南昌大学申请的专利基于低损耗赝自旋极化拓扑边界态的高性能硅基拓扑微腔获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120255073B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510758403.0，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权基于低损耗赝自旋极化拓扑边界态的高性能硅基拓扑微腔是由邓伟民;张亦豪;于天宝;万里鹏设计研发完成，并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于低损耗赝自旋极化拓扑边界态的高性能硅基拓扑微腔在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于低损耗赝自旋极化拓扑边界态的高性能硅基拓扑微腔，包括第一种硅基自旋光子晶体平板（SPC1）和第二种硅基自旋光子晶体平板（SPC2）。SPC1具有拓扑非平庸的带隙，SPC2具有拓扑平庸的带隙，二者均由旋转矩形硅棒及硅环串接形成的原胞构成，SPC2完全包覆SPC1构成微腔。本发明的拓扑微腔中的边界态大部分位于光锥以下，大幅减少微腔辐射损耗。

本发明授权基于低损耗赝自旋极化拓扑边界态的高性能硅基拓扑微腔在权利要求书中公布了：1.基于低损耗赝自旋极化拓扑边界态的高性能硅基拓扑微腔，其特征在于，包括： 第一种硅基自旋光子晶体平板，具有拓扑非平庸的带隙； 第二种硅基自旋光子晶体平板，具有拓扑平庸的带隙； 背景材料； 其中： 所述第一种硅基自旋光子晶体平板位于微腔内部区域，所述第二种硅基自旋光子晶体平板完全包覆第一种硅基自旋光子晶体平板外表面，形成连续的拓扑边界界面，二者之间的闭合边界构成拓扑微腔； 所述第一种硅基自旋光子晶体平板和所述第二种硅基自旋光子晶体平板均由按晶格常数a周期性排列的多个原胞构成，相邻两个原胞的中心间距为晶格常数a； 所述原胞包含四个矩形硅棒和一个硅环，所述矩形硅棒通过硅环串接成xy截面为正方形的整体结构； 背景材料填充于硅基材料间隙中； 所述矩形硅棒的几何参数满足：长度L=0.4a，宽度w=0.25a； 所述硅环的几何参数满足：内半径r1=0.1a，外半径r2=0.25a； 所述第一种硅基自旋光子晶体平板的原胞中的左上角和右下角的矩形硅棒相对于各自硅棒中心旋转θ1=45°，右上角和左下角的矩形硅棒相对于各自硅棒中心旋转θ2=-45°； 所述第二种硅基自旋光子晶体平板的原胞中的左上角和右下角的矩形硅棒相对于各自硅棒中心旋转θ3=-45°，右上角和左下角的矩形硅棒相对于各自硅棒中心旋转θ4=45°。

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