买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种半导体结构制造方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120280335B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510756522.2，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权一种半导体结构制造方法及半导体结构是由张名瑜;王士京;王兆祥;梁洁;涂乐义;桂智谦;仲凯设计研发完成，并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构制造方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构制造方法及半导体结构，方法包括：提供一侧上形成有多个第一掩膜结构的碳化硅衬底，在第一掩膜结构的露出表面上形成第二掩膜结构，以第二掩膜结构和第一掩膜结构为掩膜，对碳化硅衬底进行刻蚀，在碳化硅衬底中形成具有一定刻蚀深度的高深宽比刻蚀结构；第二掩膜结构的材料和第一掩膜结构的材料为相同的硬掩膜材料，在刻蚀终点时，第二掩膜结构被完全刻蚀去除，露出剩余的第一掩膜结构的表面。本申请能够对原有掩膜的厚度不足加以补偿，减少损伤，提高对碳化硅衬底表面的保护效果，并可弥补原有掩膜自身带来的缺陷，确保得到理想的最终刻蚀形貌，同时能够实现更大的刻蚀深宽比。

本发明授权一种半导体结构制造方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构制造方法，其特征在于，包括： 提供碳化硅衬底，所述碳化硅衬底的一侧上形成有多个第一掩膜结构，相邻两个所述第一掩膜结构之间具有开口，露出所述碳化硅衬底的表面； 在所述第一掩膜结构的露出表面上沉积第二掩膜层，所述第二掩膜层在所述第一掩膜结构顶面上的沉积厚度大于在所述第一掩膜结构单侧侧面和所述碳化硅衬底的露出表面上的沉积厚度，以在所述第一掩膜结构的顶面和侧面上形成相直接接触的第二掩膜结构； 以所述第二掩膜结构和所述第一掩膜结构为掩膜，对所述碳化硅衬底进行刻蚀，在所述开口的底面上形成位于所述碳化硅衬底中，并具有一定刻蚀深度的碳化硅高深宽比刻蚀结构； 其中，所述第二掩膜结构的材料和所述第一掩膜结构的材料为相同的硬掩膜材料，所述第二掩膜结构用于对所述第一掩膜结构的原有厚度的不足进行补偿，使得提供消耗的掩膜厚度增加，以减少所述第一掩膜结构原有的刻蚀消耗量；在刻蚀终点时，所述第二掩膜结构被完全刻蚀去除，露出剩余的所述第一掩膜结构的表面； 所述第二掩膜结构还用于对所述第一掩膜结构的表面进行修饰，以消除掩膜缺陷，改善对所述碳化硅衬底进行刻蚀时的形貌缺陷；所述第一掩膜结构的材料和所述第二掩膜结构的材料为氧化硅，形成由所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构组成的一体氧化硅材料的复合掩膜结构；所述第二掩膜结构的原始厚度与所述第一掩膜结构的原始厚度之比为1：10～1：2，执行对所述碳化硅衬底进行刻蚀后，剩余的所述复合掩膜结构的厚度小于原有的所述第一掩膜结构的厚度，使所述第一掩膜结构的剩余厚度为所述第二掩膜结构的原始厚度和所述第一掩膜结构的原始厚度之和的13以上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海邦芯半导体科技有限公司，其通讯地址为：201304 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区平霄路358号7号厂房、9号厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。