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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种波导到单层基片集成波导结构的转换结构及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120280675B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510763311.1，技术领域涉及：H01P5/08；该发明授权一种波导到单层基片集成波导结构的转换结构及电子设备是由赵鹏超;李娜;郑彬;张逸群;胡乃岗;孙梓涵;刘凯设计研发完成，并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种波导到单层基片集成波导结构的转换结构及电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及转化结构领域，具体涉及一种波导到单层基片集成波导结构的转换结构及电子设备；包括由波导到转换结构的第一连接结构与转换结构到单层基片集成波导结构的第二连接结构；所述第一连接结构为楔形结构以及相连的第一介质基板，所述楔形结构包括呈对称的一对从近端到远端宽度逐渐收窄的楔形，且楔形结构由从上至下设置的多层基板组成，其中楔形结构上设有非金属化孔；通过第一连接结构与第二连接结构的设计，其中第一连接结构为楔形结构与非金属化孔的组合，第二连接结构为阶梯状介质基板与半金属孔的组合，实现了阻抗匹配的控制，还具有易集成和易装配的特点，装配过程简单，能够有效避免电磁波泄漏，提升了天线的辐射效率和增益稳定性。

本发明授权一种波导到单层基片集成波导结构的转换结构及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种波导到单层基片集成波导结构的转换结构，其特征在于，包括相连的第一连接结构1与第二连接结构2； 所述第一连接结构1包括相连的楔形结构11和第一介质基板12，所述楔形结构11包括呈对称的一对从近端到远端宽度逐渐收窄的楔形结构本体，所述楔形结构本体由从上至下依次设置的多层基板组成，其中每层基板上均设有非金属化孔；所述非金属化孔沿楔形结构11的长度方向均匀排列，其中相邻非金属化孔的间距为0.6mm，所述非金属化孔分为多组，每组非金属化孔的孔径沿楔形结构11本体近端到远端的方向以0.1mm的差值依次变小； 所述第二连接结构2包括第二介质基板21，所述第一介质基板12与第二介质基板21上均设有半金属孔，其中第二介质基板21呈阶梯状结构，阶梯状结构沿第一方向逐渐降低，所述第一方向是第二连接结构2靠近第一连接结构1的一端至第二连接结构2远离第一连接结构1一端的方向； 所述半金属孔呈两列设置，且半金属孔未贯穿设置；相邻半金属孔之间的间距相同，所述第二介质基板21通过调整两列半金属孔的中间距离来调整阻抗匹配。

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