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龙图腾网获悉广东芯粤能半导体有限公司申请的专利功率器件及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120302666B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510758127.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权功率器件及其制备方法、电子设备是由相奇;罗幸君;杨俊;朱普磊;冯锐设计研发完成，并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率器件及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种功率器件及其制备方法、电子设备，包括：提供衬底、外延层；于外延层内形成经由外延层的第一表面，沿朝向衬底的第一方向依次排列的源区、基区及第一屏蔽区；第一屏蔽区具有第一预设厚度及第一掺杂浓度；其中，厚度用于表征沿第一方向的尺寸；形成沿平行于第一表面的第二方向间隔排列的第二屏蔽区，第二屏蔽区具有第二掺杂浓度，且沿第一方向贯穿第一屏蔽区并延伸至外延层内；于相邻第二屏蔽区之间形成经由第一表面朝向外延层内延伸至第一屏蔽区的栅极；栅极的底面与第一屏蔽区底面之间具有预设距离值。通过精准控制栅极深度及第一屏蔽区的掺杂浓度，避免在导通状态下第一屏蔽区形成导电沟道，影响器件导通特性。

本发明授权功率器件及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底；所述衬底顶面包括外延层； 于所述外延层内形成经由所述外延层的第一表面，沿朝向所述衬底的第一方向依次排列的源区、基区及第一屏蔽区；所述第一屏蔽区具有第一预设厚度及第一掺杂浓度；其中，所述厚度用于表征沿所述第一方向的尺寸； 形成沿平行于所述第一表面的第二方向间隔排列的第二屏蔽区，所述第二屏蔽区具有第二掺杂浓度，且沿所述第一方向贯穿所述第一屏蔽区并延伸至所述外延层内；所述第二掺杂浓度关联于所述第二屏蔽区的厚度、所述第一预设厚度；所述第二屏蔽区包括： 第一部，所述第一部的底面与所述第一屏蔽区的顶面齐平； 第二部，所述第二部的顶面与所述第一屏蔽区的顶面齐平； 其中，所述第一部的第二掺杂浓度在背离所述第一方向上先增大后减小； 所述第二部的第二掺杂浓度在沿所述第一方向上先增大后减小； 于相邻所述第二屏蔽区之间形成经由所述第一表面朝向所述外延层内延伸至所述第一屏蔽区的栅极；所述栅极的底面与所述第一屏蔽区底面之间具有预设距离值；所述第二部的第二掺杂浓度峰值位于距离所述栅极底面0.3μm-0.5μm处。

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