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龙图腾网获悉浙江力积存储科技股份有限公司申请的专利存储器测试方法、装置、设备和介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120260658B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510744770.5，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权存储器测试方法、装置、设备和介质是由吴晓雪设计研发完成，并于2025-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器测试方法、装置、设备和介质在说明书摘要公布了：本公开实施例提供的存储器测试方法、装置、设备和介质，包括：获取多个存储单元的写入数据和读取数据，其中，不同存储单元的写入数据相同，不同存储单元的读取数据为读取的写入数据；根据目标存储单元组包括的存储单元的读取数据，确定目标存储单元组的第一测试结果，其中，任意一存储单元组包括第一存储单元和第二存储单元；根据目标存储单元组包括的存储单元的写入数据和读取数据，确定目标存储单元组包括的存储单元的第二测试结果；根据目标存储单元组的第一测试结果和目标存储单元组包括的存储单元的第二测试结果，确定目标存储单元组包括的存储单元的读写状态，确定了各个存储单元组包括的两个存储单元的写操作和读操作的状态。

本发明授权存储器测试方法、装置、设备和介质在权利要求书中公布了：1.一种存储器测试方法，其特征在于，包括： 获取多个存储单元的写入数据和读取数据，其中，不同存储单元的写入数据相同，不同存储单元的读取数据为读取的写入数据； 根据目标存储单元组包括的存储单元的读取数据，确定所述目标存储单元组的第一测试结果，其中，任意一存储单元组包括第一存储单元和第二存储单元； 根据所述目标存储单元组包括的存储单元的写入数据和读取数据，确定所述目标存储单元组包括的存储单元的第二测试结果； 根据所述目标存储单元组的第一测试结果和所述目标存储单元组包括的存储单元的第二测试结果，确定所述目标存储单元组包括的存储单元的读写状态； 所述根据目标存储单元组包括的存储单元的读取数据，确定所述目标存储单元组的第一测试结果之前，还包括： 根据存储器包括的存储单元，对存储单元进行两两组合得到多组存储单元组； 所述根据目标存储单元组包括的存储单元的读取数据，确定所述目标存储单元组的第一测试结果，包括： 获取所述目标存储单元组包括的第一存储单元的第一读取数据，以及所述目标存储单元组包括的第二存储单元的第二读取数据； 依次比较所述第一读取数据和所述第二读取数据中相同位数的数据，并根据所述第一读取数据和所述第二读取数据中相同位数的数据的比较结果，确定所述目标存储单元组的第一测试结果； 所述根据所述目标存储单元组包括的存储单元的写入数据和读取数据，确定所述目标存储单元组包括的存储单元的第二测试结果，包括： 获取所述目标存储单元组包括的第一存储单元的第一读取数据和第一写入数据，以及所述目标存储单元组包括的第二存储单元的第二读取数据和第二写入数据； 依次比较所述第一读取数据和所述第一写入数据中相同位数的数据，并根据所述第一读取数据和所述第一写入数据中相同位数的数据的比较结果，确定所述第一存储单元的第三测试结果； 依次比较所述第二读取数据和所述第二写入数据中相同位数的数据，并根据所述第二读取数据和所述第二写入数据中相同位数的数据的比较结果，确定所述第二存储单元的第四测试结果； 所述根据所述目标存储单元组的第一测试结果和所述目标存储单元组包括的存储单元的第二测试结果，确定所述目标存储单元组包括的存储单元的读写状态，包括： 在所述目标存储单元组包括的存储单元的第二测试结果均为低电平，且所述目标存储单元组的第一测试结果为低电平时，则所述目标存储单元组包括的存储单元的读状态和写状态正常； 在所述目标存储单元组的第一测试结果为高电平时，则所述目标存储单元组包括的存储单元中存在一个存储单元的读状态异常或写状态异常； 所述在所述目标存储单元组的第一测试结果为高电平时，则所述目标存储单元组包括的存储单元中存在一个存储单元的读状态异常或写状态异常，包括： 在所述目标存储单元组的第一测试结果为高电平时，若所述目标存储单元组包括的第一存储单元的第三测试结果均为低电平，所述目标存储单元组包括的第二存储单元的第四测试结果均为高电平，则所述目标存储单元组包括的第二存储单元的读状态异常； 在所述目标存储单元组的第一测试结果为高电平时，若所述目标存储单元组包括的第一存储单元的第三测试结果均为高电平，所述目标存储单元组包括的第二存储单元的第四测试结果均为低电平，则所述目标存储单元组包括的第一存储单元的读状态异常； 在所述目标存储单元组的第一测试结果为高电平时，若所述目标存储单元组包括的第一存储单元的第三测试结果均为低电平，所述目标存储单元组包括的第二存储单元的第四测试结果均为低电平，则所述目标存储单元组包括的第一存储单元的写状态异常，或所述第二存储单元的写状态异常。

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