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龙图腾网获悉珠海宝丰堂半导体股份有限公司申请的专利一种用于半导体晶片的等离子蚀刻装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120237065B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510724962.X，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种用于半导体晶片的等离子蚀刻装置是由丁雪苗;赵公魄;赵芝强设计研发完成，并于2025-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于半导体晶片的等离子蚀刻装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体晶片加工技术领域，具体为一种用于半导体晶片的等离子蚀刻装置，包括底板以及固定安装在其顶部的装置本体，装置本体的侧面固定安装有密封罩，密封罩的内部设置有驱动电机，驱动电机的输出端固定安装有用于承载半导体晶片的放置板，放置板的上方设置有用于清洁半导体晶片的清理机构；控制气缸的伸出端收缩至最短，使得活塞上滑至进料管输出端上方，氧气等离子体从第一喷管和第二喷管的输出端喷出，再开启驱动电机运转，使得半导体晶片发生旋转，通过第二喷管对半导体晶片的侧面吹氧气等离子体，助于改善清洁过程中产生的挥发性副产物的排出，防止二次污染，同时更好地清洁半导体晶片的侧壁，减少侧壁沉积。

本发明授权一种用于半导体晶片的等离子蚀刻装置在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体晶片的等离子蚀刻装置，包括底板（4）以及固定安装在其顶部的装置本体（1），所述装置本体（1）的侧面固定安装有密封罩（2），其特征在于：所述密封罩（2）的内部设置有驱动电机（10），所述驱动电机（10）的输出端固定安装有用于承载半导体晶片的放置板（11），所述放置板（11）的上方设置有用于清洁半导体晶片的清理机构（9）； 所述清理机构（9）包括与密封罩（2）内壁固定连接的调控缸（909），所述调控缸（909）的内壁滑动设置有活塞（902），所述活塞（902）的底部固定安装有升降杆（910），所述升降杆（910）的底端活动贯穿调控缸（909），所述调控缸（909）的一侧设置有用于清洁晶片侧壁的侧吹单元（907）； 所述调控缸（909）的另一侧设置有两个导向架（905），两个所述导向架（905）的中部共同活动插设有第一喷管（906），所述第一喷管（906）的输出端朝向放置板（11）的中部，且第一喷管（906）的顶部连通有第一软管（903），所述第一软管（903）的输入端与调控缸（909）的侧面中部连通；所述侧吹单元（907）包括与密封罩（2）内侧壁滑动连接的升降座（9076），所述升降座（9076）的内部固定插设有第二喷管（9073），所述第二喷管（9073）的输出端倾斜设置且朝向放置板（11），且第二喷管（9073）的输入端与第二软管（911）的输出端连通，所述密封罩（2）的内壁转动设置有L形板（9071），所述升降座（9076）的正面通过第一拨杆（9075）与L形板（9071）的一端活动连接，所述第一喷管（906）的中部与L形板（9071）的另一端活动连接。

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