江苏捷捷微电子股份有限公司李小建获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏捷捷微电子股份有限公司申请的专利Stoll封装的MOS管温度测试结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120261410B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510729760.4，技术领域涉及：H01L23/34；该发明授权Stoll封装的MOS管温度测试结构及其制造方法是由李小建;杨芹;侯辉;沈慧慧;王欣宇设计研发完成，并于2025-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本Stoll封装的MOS管温度测试结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了Stoll封装的MOS管温度测试结构及制造方法，所述MOS管包括有电极D、电极G和电极S，所述MOS管连接有用于测试的PCB测试板，所述PCB测试板设置有用于消除引脚短路故障的第一沟槽和用于热电偶测试的第二沟槽，制备方法包括S1、将所述PCB测试板增加开设两个沟槽；S2、所述PCB测试板采用开尔文四线制方式设置电路走线；本发明杜绝SMT后的焊接问题，整体PCB测试板的电路设计走线采用开尔文四线制，解决在线监控器件温度时监控MOS的DS之间的Rdson内阻不精准问题，减少误差。
本发明授权Stoll封装的MOS管温度测试结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.Stoll封装的MOS管温度测试结构，其特征在于：所述MOS管（1）包括有电极D（110）、电极G（120）和电极S（130），所述MOS管（1）连接有用于测试的PCB测试板（2），所述PCB测试板（2）设置有用于消除引脚短路故障的第一沟槽（140）和用于热电偶测试的第二沟槽（150）； 所述第一沟槽（140）设置于所述PCB测试板（2）对应所述电极G（120）和所述电极S（130）之间； 所述PCB测试板（2）对应所述电极D（110）处设置有两个焊盘（160），所述第二沟槽（150）设置于两个所述焊盘（160）之间。
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