成都阜时科技有限公司吕晨晋获国家专利权
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龙图腾网获悉成都阜时科技有限公司申请的专利一种光电传感器、光电检测装置和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120224804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510720470.3，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权一种光电传感器、光电检测装置和电子设备是由吕晨晋;高关且;刘德胜设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电传感器、光电检测装置和电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种光电传感器、光电检测装置和电子设备，涉及半导体光电探测技术领域。本申请提供的单光子雪崩二极管中通过将中心掺杂结构以及边缘掺杂结构在二极管基材内沿竖直方向分离而不在同一水平面，使中心掺杂结构与边缘掺杂结构在竖直方向的投影距离小于中心掺杂结构与边缘掺杂结构之间的电场距离，而使中心掺杂结构与边缘掺杂结构之间的“水平抑制电场”在该设置情况下空间弯曲为倾斜电场。由此，在中心掺杂结构与边缘掺杂结构之间在水平方向间距有限时，保护环可以在二极管基材中在中心掺杂结构与边缘掺杂结构之间倾斜形成，使保护环的尺寸突破水平方向的限制以增大保护环尺寸，进而提高单光子雪崩二极管器件性能。
本发明授权一种光电传感器、光电检测装置和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种光电传感器，其特征在于，包括： 二极管基材，沿竖直方向具有相对的第一表面与第二表面； 设置在所述二极管基材内的多个雪崩像素单元以及用于隔离所述雪崩像素单元的隔离结构； 所述雪崩像素单元包括中心电极、边缘电极、中心掺杂结构以及边缘掺杂结构，其中，所述边缘掺杂结构形成在所述第一表面或所述第二表面上且与对应的边缘电极电性连接，所述中心电极设置在所述第二表面； 所述中心掺杂结构包括第一中心结构以及连接结构，其中，所述第一中心结构的掺杂类型与所述边缘掺杂结构不同且远离所述边缘掺杂结构所在表面，所述连接结构用于电性连接所述中心电极与所述第一中心结构； 所述第一中心结构用于在竖直方向形成雪崩区且与所述边缘掺杂结构形成横向抑制电场，所述第一中心结构与所述边缘掺杂结构既在水平方向分离又在竖直方向分离而使所述横向抑制电场的电场路径长度大于所述第一中心结构与所述边缘掺杂结构在竖直方向的投影距离。
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