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龙图腾网获悉淮安捷泰新能源科技有限公司申请的专利背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120239365B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510712308.7，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件是由张小帅;周福深;张满良;鲁伟明设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件在说明书摘要公布了：一种背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件，属于太阳能电池技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底；硅基底的第一表面的第一区域包括第一掺杂多晶硅层；硅基底的第一表面的第二区域包括第二掺杂多晶硅层；第二表面设置有钝化减反射层；第一掺杂多晶硅层包括第一掺杂元素，第二掺杂多晶硅层包括第二掺杂元素，第一掺杂多晶硅层为P型掺杂多晶硅层，第二掺杂多晶硅层为N型掺杂多晶硅层，硅基底对应第一区域的杂质的浓度N110、硅基底对应隔离区域的杂质的浓度N130、硅基底对应第二区域的杂质的浓度N120满足：N130≤N120N110，可以降低减少在隔离区域的载流子的复合，从而可以提高背接触太阳能电池的效率。

本发明授权背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括： 硅基底（1），所述硅基底（1）具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面设置有第一区域（110）、第二区域（120）和位于所述第一区域（110）和所述第二区域（120）之间的隔离区域（130）； 所述第一区域（110）包括沿所述硅基底（1）的厚度方向依次设置的第一隧穿氧化层（2）、第一掺杂多晶硅层（3）、第一钝化层（71）和第一电极（8）； 所述第二区域（120）包括沿所述硅基底（1）的厚度方向依次设置的第二隧穿氧化层（4）、第二掺杂多晶硅层（5）、第二钝化层（72）和第二电极（9）； 所述第二表面设置有钝化减反射层（6）； 所述第一掺杂多晶硅层（3）包括第一掺杂元素，所述第二掺杂多晶硅层（5）包括第二掺杂元素，所述第一掺杂多晶硅层（3）为P型掺杂多晶硅层，所述第二掺杂多晶硅层（5）为N型掺杂多晶硅层； 其中，所述隔离区域（130）为凹槽，所述凹槽的靠近所述第二区域（120）的侧壁包括所述第二掺杂元素，所述硅基底的靠近所述钝化减反射层（6）的表面的所述第一掺杂元素和所述第二掺杂元素的浓度之和小于1×1016atomcm3； 所述硅基底（1）包括杂质，所述杂质包括铁、镍、铬中的至少一种，所述硅基底（1）对应所述第一区域（110）的杂质的浓度N110、所述硅基底（1）对应所述隔离区域（130）的杂质的浓度N130、所述硅基底（1）对应所述第二区域（120）的杂质的浓度N120满足：N130≤N120N110，1×108atomcm3≤N130≤1×1016atomcm3。

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