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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利通孔接触电阻预测方法、电子设备和可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120196908B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510677772.7，技术领域涉及：G06F18/20；该发明授权通孔接触电阻预测方法、电子设备和可读存储介质是由秦绪威;吴文豪;陈健;刘哲儒设计研发完成，并于2025-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本通孔接触电阻预测方法、电子设备和可读存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种通孔接触电阻预测方法、电子设备和可读存储介质，该方法包括：基于获取的多片晶圆的历史通孔接触电阻量测数据与历史后段制程在线量测数据，构建训练样本集；采用训练样本集对包括特征增强层的深度神经网络模型进行训练，以得到对应的通孔接触电阻预测模型，特征增强层用于基于多头注意力机制学习不同后段制程参数之间的交互特征并学习后段制程参数与通孔接触电阻之间的跨层关联性；将待检测晶圆的当前后段制程在线量测数据输入至通孔接触电阻预测模型中，以获取待检测晶圆的通孔接触电阻预测数据。本发明通过基于深度学习并结合注意力机制，可以实现通孔接触电阻的实时准确预测。

本发明授权通孔接触电阻预测方法、电子设备和可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种通孔接触电阻预测方法，其特征在于，包括： 获取多片晶圆的历史通孔接触电阻量测数据与历史后段制程在线量测数据； 基于所述多片晶圆的历史通孔接触电阻量测数据与历史后段制程在线量测数据，构建训练样本集，其中，所述训练样本集中的每一例训练样本均包括后段制程在线量测数据与对应的通孔接触电阻量测数据，且所述通孔接触电阻量测数据为所述训练样本的标签，每一例训练样本中的后段制程在线量测数据均包括各层通孔所对应的多个后段制程参数的在线量测数据，每一例训练样本中的通孔接触电阻量测数据均包括各层通孔所对应的接触电阻； 采用所述训练样本集对预先构建的深度神经网络模型进行训练，以得到对应的通孔接触电阻预测模型，其中，所述深度神经网络模型包括特征增强层，所述特征增强层用于基于多头注意力机制学习不同后段制程参数之间的交互特征并学习后段制程参数与通孔接触电阻之间的跨层关联性； 将待检测晶圆的当前后段制程在线量测数据输入至所述通孔接触电阻预测模型中，以获取所述待检测晶圆的通孔接触电阻预测数据； 所述后段制程参数包括通孔深度、通孔直径、通孔底层金属层厚度、通孔底层金属层宽度、通孔顶层金属层厚度和通孔顶层金属层宽度。

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