杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种变掺杂的平面栅碳化硅VDMOS器件及制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120201742B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510661798.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种变掺杂的平面栅碳化硅VDMOS器件及制备工艺是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种变掺杂的平面栅碳化硅VDMOS器件及制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种变掺杂的平面栅碳化硅VDMOS器件及制备工艺，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层和P阱层，单个MOS元胞的N漂移层中间处设有轻掺杂N层；单个MOS元胞的内部且位于N漂移层的左右两侧设有侧对称P‑层，两侧侧对称P‑层的相对应侧截面轮廓呈圆弧状。本发明通过在N漂移层中间设置轻掺杂N层，并在两侧引入圆弧状侧对称P‑层，这样优化了器件的电场分布，降低了局部电场集中，显著提高了击穿电压，而且侧对称P‑层与N衬底层的接触增强了电荷平衡能力，减少漏电流。
本发明授权一种变掺杂的平面栅碳化硅VDMOS器件及制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种变掺杂的平面栅碳化硅VDMOS器件，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、源极4和栅极5；所述半导体外延层包括N衬底层2、N漂移层3、P+层8、N阱层9和P阱层10，其特征在于：单个所述MOS元胞的N漂移层3中间处设有轻掺杂N层6； 单个所述MOS元胞的内部且位于N漂移层3的左右两侧设有侧对称P-层7，两侧所述侧对称P-层7的相对应侧截面轮廓呈圆弧状；所述侧对称P-层7的底端与N衬底层2接触； 所述轻掺杂N层6的内部底端通过离子注入形成有重掺杂N层11，所述重掺杂N层11的底端与N衬底层2接触； 所述重掺杂N层11的内部中间区域通过离子注入形成有矩形P-层12，所述矩形P-层12的底端与N衬底层2接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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