佛山市国星半导体技术有限公司旷明胜获国家专利权
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龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种金属衬底晶圆的切割方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120109092B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510601643.X，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权一种金属衬底晶圆的切割方法是由旷明胜;周鑫;于倩倩;范敏聪;陈慧秋;陈凯设计研发完成，并于2025-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金属衬底晶圆的切割方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金属衬底晶圆的切割方法，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：在金属衬底晶圆的背面蒸镀金属材料形成第一切割保护层；在第一切割保护层上旋涂水溶性切割保护液，干燥后形成第二切割保护层；采用第一激光光束在第二切割保护层上切割形成第一沟槽；采用第二激光光束沿第一沟槽的位置继续切割形成第二沟槽；清洗去除第二切割保护层，从而完成金属衬底晶圆的背面切割。本发明通过第一切割保护层和第二切割保护层的相互配合，并分步进行激光切割，不仅能够有效防止碎屑、熔渣等残留在芯粒边缘，还能够有效缩小热影响区的产生范围，可以显著提高金属衬底晶圆的切割良率和提高芯粒的封装良率。
本发明授权一种金属衬底晶圆的切割方法在权利要求书中公布了：1.一种金属衬底晶圆的切割方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在金属衬底晶圆的背面蒸镀金属材料形成第一切割保护层； 所述第一切割保护层的厚度范围为2000～5000nm； S2、在所述第一切割保护层上旋涂水溶性切割保护液，干燥后形成第二切割保护层； 所述第二切割保护层的厚度范围为5000～10000nm； S3、采用第一激光光束在所述第二切割保护层上切割形成第一沟槽，所述第一沟槽从所述第二切割保护层的表面延伸至所述金属衬底晶圆的表面； S4、采用第二激光光束沿所述第一沟槽的位置继续切割形成第二沟槽，所述第二沟槽从所述金属衬底晶圆的表面延伸至所述金属衬底晶圆的内部； S5、清洗去除所述第二切割保护层，从而完成所述金属衬底晶圆的背面切割。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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