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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利带DNW隔离结构的NMOS器件六端模型的提取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120124562B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510602381.9，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权带DNW隔离结构的NMOS器件六端模型的提取方法是由肖莉红;吴胜武;潘见设计研发完成，并于2025-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本带DNW隔离结构的NMOS器件六端模型的提取方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种带DNW隔离结构的NMOS器件六端模型的提取方法，所述方法包括：设计NMOS器件结构；测量NMOS结构获得电性测试参数；建立初始NMOS模型；进行第一次曲线拟合；判断曲线拟合是否合格；若合格，则建立NMOS结构的失配模型；设计不同尺寸的DNW结构；测量寄生二极管的C‑V曲线和I‑V曲线；建立初始的二极管模型；进行第二次曲线拟合；判断曲线拟合是否合格；若合格，则得到带DNW隔离结构的六端NMOS结构的电压值、电流值和电容值失配模型，并进行验证。本发明通过LVS提取寄生二极管的面积与周长建立初始的二极管模型，从而准确反映版图差异带来的模型特性差异，提高器件模型的准确度。

本发明授权带DNW隔离结构的NMOS器件六端模型的提取方法在权利要求书中公布了：1.一种带DNW隔离结构的NMOS器件六端模型的提取方法，其特征在于，包括以下步骤： 设计不同尺寸的NMOS结构； 测量NMOS结构获得电性测试参数； 根据所述电性测试参数建立初始的NMOS模型； 改变NMOS结构的特性参数对电性测试参数进行第一次曲线拟合； 判断第一次曲线拟合是否合格，若不合格，则修改NMOS结构的特性参数，并返回上一步骤； 若合格，则建立NMOS结构的失配模型； 设计不同尺寸的DNW结构； 测量DNW与Psub之间以及DNW与pwell之间的寄生二极管的C-V曲线和I-V曲线； 通过LVS提取寄生二极管的面积与周长建立初始的二极管模型； 改变二极管的特性参数对电压值、电流值与电容值进行第二次曲线拟合； 判断第二次曲线拟合是否合格，若不合格，则修改DNW结构的特性参数，并返回上一步骤； 若合格，则建立二极管模型，在建立的所述NMOS结构的失配模型上增加建立的所述二极管模型，则得到带DNW隔离结构的六端NMOS结构的电压值、电流值和电容值失配模型，并对所述失配模型进行验证。

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