西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学李晓茜获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学申请的专利基于氧化镍量子点的氧化镓日盲紫外探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152400B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510593617.7，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权基于氧化镍量子点的氧化镓日盲紫外探测器及制备方法是由李晓茜;周洋;吴志帆;韩根全设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于氧化镍量子点的氧化镓日盲紫外探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本方案提供了一种基于氧化镍量子点的氧化镓日盲紫外探测器及制备方法，包括以下步骤：S1：清洗并干燥生长有氧化镓的衬底；S2：在氧化镓表面刻蚀形成β‑Ga2O3沟道；S3：在衬底上沉积叠层金属作为电极，退火使得叠层金属合金化以同氧化镓形成欧姆接触；S4：在电极之间旋涂p型NiO量子点，通过量子点集成引入p型NiO量子点与n型的β‑Ga2O3构成pn异质结的氧化镓紫外探测器，同时提高氧化镓日盲紫外探测器的光响应度和响应速度。
本发明授权基于氧化镍量子点的氧化镓日盲紫外探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氧化镍量子点的氧化镓日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：清洗并干燥生长有氧化镓的衬底； S2：在氧化镓表面刻蚀形成β-Ga2O3沟道，β-Ga2O3沟道间隔横向排列在氧化镓层，且沟道同衬底相通； S3：在衬底上沉积叠层金属作为电极，退火使得叠层金属合金化以同氧化镓形成欧姆接触； S4：在电极之间旋涂p型NiO量子点。
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