杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种优化源极漏极接触的MOSFET半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091601B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510572048.8，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种优化源极漏极接触的MOSFET半导体结构及其制备方法是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种优化源极漏极接触的MOSFET半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种优化源极漏极接触的MOSFET半导体结构，包括漏极、半导体外延层、源极以及栅极，所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P阱层、N阱层以及P‑层，所述P‑层的内部设有源多晶硅，所述源多晶硅的顶端与源极欧姆接触；所述N阱层的内部设有三个氧化金属层，三个所述氧化金属层的顶端与源极；所述漏极的内部还包括有若干个半圆金属层，所述半圆金属层与N衬底层欧姆接触。本发明通过高浓度磷掺杂的重掺杂栅形成低阻通道，减少栅极电荷的充放电时间，并且掺杂栅提供额外的导电路径，降低开关时间，提升功率转换效率，减少热损耗。
本发明授权一种优化源极漏极接触的MOSFET半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种优化源极漏极接触的MOSFET半导体结构，包括漏极1、半导体外延层、源极4以及栅极5，所述半导体外延层包括N衬底层2、N漂移层3、P阱层6、N阱层7以及P-层，其特征在于：所述P-层8的内部设有源多晶硅9，所述源多晶硅9的顶端与源极4欧姆接触； 所述N阱层7的内部设有三个氧化金属层10，三个所述氧化金属层10的顶端与源极4接触； 所述漏极1的内部还包括有若干个半圆金属层11，所述半圆金属层11与N衬底层2欧姆接触； 所述半导体外延层的底端左右两侧均设有漏多晶硅12，所述漏多晶硅12的底端与漏极1接触； 所述N衬底层2还包括有衬底层三23，其中所述衬底层三23的截面轮廓呈两侧凸起中间凹陷的形状； 所述衬底层三23的中间凹陷处通过离子注入形成有四个重掺杂栅13。
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