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龙图腾网获悉深圳环光时代技术有限公司申请的专利一种硅光发射芯片的可靠性测试系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120064951B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510556405.1，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种硅光发射芯片的可靠性测试系统是由陈晨;曾征辉;黎智韬设计研发完成，并于2025-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅光发射芯片的可靠性测试系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种硅光发射芯片的可靠性测试系统，包括：湿热试验箱，用于调节测试环境；放置在湿热试验箱内的芯片贴装板，并且芯片贴装板的贴装面设置有焊点区域、多个芯片贴装区域和多个焊盘区域，多个芯片贴装区域中每个芯片贴装区域均用于贴装需要测试的硅光发射芯片，并且多个焊盘区域中每个焊盘区域均设置在对应的芯片贴装区域的周围，以及焊点区域中每个焊点均与多个需要测试的硅光发射芯片中每个需要测试的硅光发射芯片的相同引脚焊盘电连接；主控板用于同时对多个需要测试的硅光发射芯片的工作条件进行调节，进行多种情况下的可靠性测试，从而能够提高兼容性、测试可信度，也对主控板的元件进行保护，避免主控板直接在温热控制箱内。

本发明授权一种硅光发射芯片的可靠性测试系统在权利要求书中公布了：1.一种硅光发射芯片的可靠性测试系统，其特征在于，包括： 湿热试验箱，所述湿热试验箱用于调节测试环境； 芯片贴装板，所述芯片贴装板能够放置在所述湿热试验箱内，并且所述芯片贴装板的贴装面设置有焊点区域、多个芯片贴装区域和多个焊盘区域，所述多个芯片贴装区域中每个芯片贴装区域均用于贴装需要测试的硅光发射芯片，并且所述多个焊盘区域中每个焊盘区域均设置在对应的一个芯片贴装区域的周围，以及所述焊点区域中每个焊点均与多个所述需要测试的硅光发射芯片中每个所述需要测试的硅光发射芯片的相同引脚焊盘电连接； 主控板，所述主控板能够设置在所述湿热试验箱外部，并且所述主控板和所述芯片贴装板电连接，所述主控板用于同时对多个所述需要测试的硅光发射芯片的工作条件进行调节，并进行多种所述工作条件下的可靠性测试； 所述芯片贴装板的贴装面进一步设置有贴装在所述芯片贴装板上的多个激光器和多个光纤阵列，并且每个所述需要测试的硅光发射芯片均对应有一个所述激光器和一个所述光纤阵列；所述可靠性测试包括光电性能测试； 其中，所述主控板，具体用于：在给多个所述需要测试的硅光发射芯片的所有通道进行供电的情况下，设置所述需要测试的硅光发射芯片的监控光电二极管的MPD反偏电压，并通过所述监控光电二极管对应的光纤阵列将其对应的激光器发出的激光脉冲的光功率耦合到其对应的需要测试的硅光发射芯片的每个MZM通道中，记录所述监控光电二极管对应的激光器的激光输入光功率、所述监控光电二极管对应的激光器的激光输出光功率和所述监控光电二极管的两路光电流，以及计算并记录所述监控光电二极管对应的需要测试的硅光发射芯片对应通道的MZM调制器插入损耗；关闭所述激光输入光功率，记录所述监控光电二极管的两路暗电流；设置所述监控光电二极管的MZM调制器反偏电压，并记录所述监控光电二极管对应的需要测试的硅光发射芯片对应通道的MZM调制器漏电流；调节其恒定电流输出，测试并记录所述监控光电二极管对应的需要测试的硅光发射芯片的芯片内部电阻；在通过同轴电缆连接所述监控光电二极管对应的需要测试的硅光发射芯片MZM调制端口的情况下，设置MZM调制器反偏电压，调节恒定电流输出直至所述激光输出光功率达到最高点，再调回所述MZM调制器的线性区，并用相应的矢量网络分析仪进行带宽测试，记录带宽测试数据；将所述MZM调制器RF端口的电压逐步增加到与所述反偏电压相关的电压范围内，并记录监控光电二极管对应的激光器的功率输出处的最小光功率和最大光功率，以及计算所述最大光功率和所述最小光功率的光功率差值作为光调制幅度；在通电预设时间后，重复执行上述步骤，得到重复执行后得到的新的记录数据，并将所述新的记录数据和重复执行前得到的记录数据进行比较，得到所述光电性能测试的测试结果。

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