成都锐成芯微科技股份有限公司陈精纬获国家专利权
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龙图腾网获悉成都锐成芯微科技股份有限公司申请的专利110nm以下的嵌入式闪存及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076325B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510531503.X，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权110nm以下的嵌入式闪存及其制备方法是由陈精纬;陈飞龙;杨震;王宇龙;向建军设计研发完成，并于2025-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本110nm以下的嵌入式闪存及其制备方法在说明书摘要公布了：一种110nm以下的嵌入式闪存及其制备方法，所述110nm以下的嵌入式闪存包括：一个衬底，以及衬底上的存储阵列区和外围逻辑区，所述存储阵列区中包含至少一个存储单元，所述存储单元包含：一个位于衬底中的公用源极，一条位于公用源极上方且与之相连的公用线；一对叠置栅极，分别位于公用线两侧，每个叠置栅极包括浮置栅极及其上方垂直叠置的控制栅极；一对选择栅极，分别位于两个叠置栅极的非公用线侧的旁边；所述外围逻辑区中包含至少一个逻辑晶体管，逻辑晶体管包含逻辑栅极；其中所述存储单元中的控制栅极与逻辑晶体管的逻辑栅极的高度相同。该嵌入式闪存的性能好且稳定，可靠性好，而且制备方法简单便捷、成本低。
本发明授权110nm以下的嵌入式闪存及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种110nm以下的嵌入式闪存，包括：一个衬底，以及衬底上的存储阵列区和外围逻辑区，所述存储阵列区中包含至少一个存储单元，所述存储单元包含：一个位于衬底中的公用源极，一条位于公用源极上方且与之相连的公用线；一对叠置栅极，分别位于公用线两侧，每个叠置栅极包括浮置栅极和在其上方垂直叠置的控制栅极；一对选择栅极，分别位于两个叠置栅极的非公用线一侧的旁边；所述外围逻辑区中包含至少一个标准逻辑晶体管，标准逻辑晶体管包含逻辑栅极；其特征在于：所述存储单元中的控制栅极与标准逻辑晶体管的逻辑栅极的高度相同，而且所述控制栅极和逻辑栅极是在制备标准逻辑晶体管的工序中，通过同一沉积步骤沉积栅极材料、然后分别蚀刻而形成。
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