合肥晶合集成电路股份有限公司曹平获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法及其半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120048798B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510519340.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体结构的制备方法及其半导体结构是由曹平;李政;吕海燕设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法及其半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构的制备方法及其半导体结构，具体涉及半导体技术领域。半导体结构的制备方法包括：提供初始半导体结构，初始半导体结构上沉积有金属层；对金属层进行第一退火处理，生成金属硅化合物；采用第一清洗液对初始半导体结构进行处理，第一清洗液为硫酸、过氧化氢和亚铁离子的混合溶液；采用第二清洗液对初始半导体结构进行处理，第二清洗液为盐酸、过氧化氢和水的混合溶液；对金属硅化合物进行第二退火处理，生成自对准硅化物层。采用本发明的半导体结构的制备方法可降低未反应金属层的去除温度，避免高温对金属硅化合物热稳定的影响和损伤，提高产品良率。
本发明授权一种半导体结构的制备方法及其半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供初始半导体结构，所述初始半导体结构上沉积有金属层，所述金属层为镍铂合金层，以所述镍铂合金的总质量计，铂的质量百分比为1%~10%； 对所述金属层进行第一退火处理，生成金属硅化合物； 采用第一清洗液对所述初始半导体结构进行处理，所述第一清洗液为硫酸、过氧化氢和亚铁离子的混合溶液； 采用第二清洗液对所述初始半导体结构进行处理，所述第二清洗液为盐酸、过氧化氢和水的混合溶液； 对所述金属硅化合物进行第二退火处理，生成自对准硅化物层； 其中，所述第一清洗液中，所述硫酸与所述过氧化氢的比例为2:1~5:1，所述亚铁离子的浓度为100~1000ppm，所述第一清洗液的温度为100~170℃。
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