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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种集成侧向泵浦源的半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120049274B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510521387.3，技术领域涉及：H01S5/125；该发明授权一种集成侧向泵浦源的半导体激光器是由张卓;张建伟;周寅利;刘天娇;陈超;张继业;宁永强;王立军设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成侧向泵浦源的半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种集成侧向泵浦源的半导体激光器，包括：壳体，壳体具有第一安装腔和第二安装腔；增益芯片位于第一安装腔，且增益芯片与第二安装腔正对；位于第一安装腔内的环形侧向泵浦源，环形侧向泵浦源呈环形，且环形侧向泵浦源套设在增益芯片外圈，环形侧向泵浦源朝向增益芯片的环形侧面向增益芯片的侧面发射泵浦光；散热结构，散热结构位于增益芯片朝向第二安装腔的顶面，且散热结构自第一安装腔伸入第二安装腔，位于第二安装腔内的散热结构的侧面与第二安装腔的侧壁相接触；输出耦合镜，输出耦合镜位于出光窗口，且输出耦合镜位于散热结构远离增益芯片的一侧。本发明至少有利于改善激光器的性能。

本发明授权一种集成侧向泵浦源的半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种集成侧向泵浦源的半导体激光器，其特征在于，包括：壳体，所述壳体具有相连通且沿竖直方向依次排布的第一安装腔和第二安装腔，所述第二安装腔通过出光窗口与外界连通； 增益芯片，所述增益芯片位于所述第一安装腔，且所述增益芯片与所述第二安装腔正对，所述增益芯片包括沿竖直方向依次排布的衬底、DBR层、有源区以及窗口层，有源区中量子阱层的数量在5~50的范围内，每个量子阱层的两侧均具有势垒层，多个量子阱层间隔排布，势垒层的厚度在50nm~500nm的范围内； 位于所述第一安装腔内的环形侧向泵浦源，所述环形侧向泵浦源呈环形，且所述环形侧向泵浦源套设在所述增益芯片外圈，所述环形侧向泵浦源朝向所述增益芯片的环形侧面向所述增益芯片的侧面发射泵浦光，所述环形侧向泵浦源为环形的边发射半导体激光器，环形的边发射半导体激光器包括环形活性区、顶部波导、上电极和下电极，环形活性区呈环形，环形活性区包括环形有源区和位于环形有源区外圈的环形分布式布拉格反射器或环形高反射镜，环形活性区的顶面具有多个波导，每个波导均沿环形活性区的径向延伸，引导激光向环形活性区的中心轴输出，上电极位于环形活性区顶面，下电极位于环形活性区底部，下电极为环状或盘状； 散热结构，所述散热结构位于所述增益芯片朝向所述第二安装腔的顶面，且所述散热结构自所述第一安装腔伸入所述第二安装腔，位于所述第二安装腔内的所述散热结构的侧面与所述第二安装腔的侧壁相接触； 输出耦合镜，所述输出耦合镜位于所述出光窗口，且所述输出耦合镜位于所述散热结构远离所述增益芯片的一侧。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，其通讯地址为：130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。