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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利混合栅极高电子迁移率晶体管、制备方法与其测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035171B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510510664.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权混合栅极高电子迁移率晶体管、制备方法与其测试方法是由唐曦;林凤萍;刘晓宇;唐高飞设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本混合栅极高电子迁移率晶体管、制备方法与其测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种混合栅极高电子迁移率晶体管、制备方法与其测试方法。所述晶体管可配置为耗尽模式或增强模式，栅极结构由不同比例的p‑GaN半导体层组成。制备过程中采用电感耦合等离子体反应离子蚀刻技术，保护栅极结构并减少缺陷。器件工作时，通过向栅极施加驱动电压，在源极和漏极偏压下调控p‑GaNAlGaNGaN异质结内建电场，耗尽栅极下方的二维电子气，且耗尽程度随p‑GaN比例变化。施加正偏压可恢复二维电子气。整个制备工艺严格遵循标准氮化镓技术流程，无需额外修改。该设计可有效降低栅极漏电，提供稳定且可调的阈值电压，并通过调节p‑GaN比例实现器件常开与常关状态的灵活调控。

本发明授权混合栅极高电子迁移率晶体管、制备方法与其测试方法在权利要求书中公布了：1.混合栅极高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括： 衬底； 沿第一方向上依次层叠设置的N型沟道层、势垒层和P型半导体层，其中，所述第一方向为衬底指向P型半导体层的方向； 所述P型半导体层包括沿第二方向上依次排列的多个子P型半导体层，其中，多个所述子P型半导体层具有不同占用比；所述第二方向为垂直于源极指向漏极的方向； 当所述子P型半导体层的占用比的范围为大于0%且小于100%时，所述子P型半导体层中包括多个沿第二方向上等距排列的子P型半导体层岛；当所述子P型半导体层的占用比为100%时，所述子P型半导体层中包括一个子P型半导体层岛； 钝化电介质层以及肖特基金属层； 所述钝化电介质层设置于所述势垒层表面未被所述P型半导体层覆盖的区域； 所述肖特基金属层设于所述P型半导体层表面，以同时形成金属半导体肖特基接触和MIS栅极； 所述占用比为： Pp-GaN=Wp-GaNWtotal； 其中，Pp-GaN为占用比大小，Wtotal是一个子P型半导体层的宽度，Wp-GaN是相应的一个子P型半导体层中所有子P型半导体层岛的宽度之和。

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