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龙图腾网获悉苏州优晶半导体科技股份有限公司;江苏科技大学申请的专利一种气力输送原料的碳化硅晶体的生长炉及生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119843356B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510315479.6，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种气力输送原料的碳化硅晶体的生长炉及生长方法是由袁长路;陈建明;赵文超;张江涛;张礼华;陈曙光;王叶松;裴永胜设计研发完成，并于2025-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种气力输送原料的碳化硅晶体的生长炉及生长方法在说明书摘要公布了：本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种气力输送原料的碳化硅晶体的生长炉及生长方法。生长炉包括：从底部进入坩埚的原料气力输送管道；第一导流板，其盖于并密封输送管道的上端，其边缘延伸至输送管道外且与坩埚内壁之间留有间隙，输送管道的出口在第一导流板的下方；第二导流板，其一端固定于坩埚内壁，其另一端曲折的靠近第一导流板的边缘且悬空设置；倾斜导流板，其一端固定于输送管道的外壁，其另一端悬空设置；折流板，其一端固定于坩埚内壁或输送管道外壁，其另一端悬空设置，倾斜导流板引导从出口流出的部分物流向下流动流向折流板；导流板和折流板为石墨材质。通过持续向坩埚中输送原料，生长大尺寸晶体。

本发明授权一种气力输送原料的碳化硅晶体的生长炉及生长方法在权利要求书中公布了：1.一种气力输送原料的碳化硅晶体的生长炉，其特征在于，包括： 坩埚（1），其设置在炉体内，其底部中心设置有开口，所述开口的边缘向上竖直延伸，形成套筒（101）； 第一段原料气力输送管道（2），其竖直设置，其从所述坩埚（1）的底部中心穿过所述套筒（101）延伸至所述坩埚（1）中，其与所述套筒（101）密封连接； 第一石墨导流板（3），其盖于并密封所述第一段原料气力输送管道（2）的上端，其边缘延伸至所述第一段原料气力输送管道（2）外且其边缘与坩埚内壁之间留有间隙，所述第一段原料气力输送管道（2）的出口位于所述第一石墨导流板（3）的下方和所述套筒（101）的上方，所述出口沿所述第一段原料气力输送管道（2）的周向设置； 第二石墨导流板（4），其一端固定在坩埚内壁上，其另一端靠近所述第一石墨导流板（3）的边缘而悬空设置，其悬空端与所述第一石墨导流板（3）的边缘曲折的靠近设置而形成曲折物流通道； 倾斜石墨导流板，其一端与所述第一段原料气力输送管道（2）的外壁固定连接，其另一端悬空设置，其固定端高度高于悬空端高度； 石墨折流板（5），其一端固定在坩埚内壁或套筒外壁或所述第一段原料气力输送管道（2）的外壁上，其另一端悬空设置，其固定端高度高于悬空端高度，所述倾斜石墨导流板引导从所述出口流出的部分物流向下流动流向所述石墨折流板（5），物流流向所述石墨折流板（5）后气流折返，固体原料落入所述坩埚（1）的下部； 所述第一石墨导流板（3）的边缘设置有沿第一石墨导流板（3）的周向环绕的第一凸起（301），所述第二石墨导流板（4）的悬空端设置有与所述第一凸起（301）相向错位设置的第二凸起（401），所述第一凸起（301）与所述第二凸起（401）相向错位设置形成S形的曲折物流通道。

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