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龙图腾网获悉苏州优晶半导体科技股份有限公司;江苏科技大学申请的专利一种大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚及其使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119800493B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510300974.X，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚及其使用方法是由蔡金荣;陈建明;袁长路;赵文超;张江涛;张礼华;陈曙光;王叶松;裴永胜设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚及其使用方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚及其使用方法，涉及人工晶体生长技术领域。该大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚包括坩埚本体、长晶罩和备料仓。长晶罩罩设于坩埚本体上，长晶罩的内顶面设置有长晶台，长晶罩设置有翼板，翼板活动设置于备料仓和坩埚本体之间，备料仓的底部开设有出料口，翼板开设有过料口，出料口与过料口错位设置，长晶罩用于带动翼板运动至预设位置，以使过料口与出料口连通。与现有技术相比，本发明提供的大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚由于采用了开设于翼板上的过料口以及开设于备料仓底部的出料口，所以能够在碳化硅单晶生长过程中进行补料，以增大碳化硅多晶粉料的升华量，实现大尺寸碳化硅单晶生长，满足客户需求。

本发明授权一种大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚及其使用方法在权利要求书中公布了：1.一种大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，包括坩埚本体、长晶罩和备料仓，所述长晶罩罩设于所述坩埚本体上，所述长晶罩的内顶面设置有长晶台，所述长晶台用于粘接碳化硅籽晶片，所述坩埚本体用于盛装碳化硅多晶粉料，并在加热时使其升华，从而在碳化硅籽晶片上生长碳化硅单晶，所述长晶罩设置有翼板，所述翼板活动设置于所述备料仓和所述坩埚本体之间，所述备料仓用于盛装碳化硅多晶粉料，所述备料仓的底部开设有出料口，所述翼板开设有过料口，所述出料口与所述过料口错位设置，所述长晶罩用于带动所述翼板运动至预设位置，以使所述过料口与所述出料口连通，从而使得所述备料仓内的碳化硅多晶粉料流至所述坩埚本体； 所述备料仓呈圆环状，所述备料仓的中部设置有让位孔，所述长晶罩呈圆形，所述长晶罩与所述备料仓同轴设置，所述长晶罩穿过所述让位孔，且部分伸入所述坩埚本体设置，所述长晶罩与所述让位孔转动配合； 所述坩埚本体的顶部设置有限位托环，所述翼板呈圆环状，所述翼板搭接于所述限位托环上，且与所述限位托环转动配合，所述限位托环与所述过料口错位设置。

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