买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种基于离散点迭代分析轮廓演变的三维微结构刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119833378B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510301429.2，技术领域涉及：H01J37/302；该发明授权一种基于离散点迭代分析轮廓演变的三维微结构刻蚀方法是由石峰;周港;彭星;田野;巩保启;郭双鹏设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于离散点迭代分析轮廓演变的三维微结构刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于离散点迭代分析轮廓演变的三维微结构刻蚀方法，包括首先在待刻蚀样件的表面镀制掩膜；根据待刻蚀样件的期望结构建立坐标系，针对当前时刻的待刻蚀点集合中的每一个待刻蚀点分别计算其单位切线角度、实际束流入射角度、实际刻蚀因数，并以d t为时间增量，根据当前时刻的待刻蚀点集合计算下一时刻的待刻蚀点集合的待刻蚀点坐标，重复迭代直至下一时刻的待刻蚀点集合满足期望值；然后将待刻蚀样件放入反应离子束刻蚀设备，根据各个待刻蚀点的实际束流入射角度和实际刻蚀因数，依次对各个待刻蚀点进行反应离子束刻蚀加工。本发明旨在实现基于反应离子束刻蚀工艺的三维微结构刻蚀，提升三维微结构的制造精度。

本发明授权一种基于离散点迭代分析轮廓演变的三维微结构刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种基于离散点迭代分析轮廓演变的三维微结构刻蚀方法，其特征在于包括下述步骤： S1，在待刻蚀样件的表面镀制图形化的掩膜；根据待刻蚀样件的期望结构建立坐标系，并确定期望结构的轮廓点坐标集，其中～为第1～个期望结构的轮廓点坐标； S2，确定刻蚀因数并选择离子入射角，刻蚀因数为三维微结构侧壁与基面的夹角； S3，根据离子入射角与掩膜的结构参数确定离子辐照区长度，将离子辐照区长度均匀分为个离散的待刻蚀点～，从而确定当前时刻的待刻蚀点集合； S4，为当前时刻的待刻蚀点集合的刻蚀区域边界处确定刻蚀边界控制点； S5，计算当前时刻的待刻蚀点集合中各个待刻蚀点的单位切线角度； S6，根据单位切线角度计算当前时刻的各个待刻蚀点的实际束流入射角度； S7，根据实际束流入射角度确定当前时刻的各个待刻蚀点的实际刻蚀因数； S8，根据当前时刻t的待刻蚀点的坐标，以d t为时间增量，计算下一时刻的待刻蚀点集合中个待刻蚀点的坐标～； S9，判断下一时刻的待刻蚀点集合中各待刻蚀点的坐标与期望结构的轮廓点坐标集中对应的轮廓点坐标之间距离是否满足要求，若满足要求，则记录所有待刻蚀点的总驻留时间，跳转步骤S10；否则，将下一时刻的待刻蚀点集合作为新的当前时刻的待刻蚀点集合，跳转步骤S4； S10，将待刻蚀样件放入反应离子束刻蚀设备，根据预设的离子源束流密度、束流总加速电压以及各个待刻蚀点的实际束流入射角度、实际刻蚀因数和总驻留时间，依次对各个待刻蚀点进行反应离子束刻蚀加工； S11，对待刻蚀样件的刻蚀深度进行检测，如果待刻蚀样件的刻蚀深度尚未达到要求，则跳转步骤S3；否则，结束并退出。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国人民解放军国防科技大学，其通讯地址为：410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。