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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种硼掺杂的生长在碳管上的片状缺陷铌钛氧材料的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119852413B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510078243.5，技术领域涉及：H01M4/62；该发明授权一种硼掺杂的生长在碳管上的片状缺陷铌钛氧材料的制备方法及应用是由张岩;娄帅锋;赵伟;尹鸽平设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硼掺杂的生长在碳管上的片状缺陷铌钛氧材料的制备方法及应用在说明书摘要公布了：一种硼掺杂的生长在碳管上的片状缺陷铌钛氧材料的制备方法及应用，属于锂硒电池正极材料技术领域，所述方法包括以下步骤：将铌源、钛源和碳纳米管溶于有机溶剂中，加入表面活性剂，再加入碱源，经过液相混合搅拌，转移至反应釜中一定温度、压力下进行反应生成复合前驱体；再将前驱体和硼源放入管式炉中，高温煅烧得到硼掺杂的生长在碳管上的片状缺陷铌钛氧复合材料。然后将其与硒反应生成硒与硼掺杂的生长在碳管上的片状缺陷铌钛氧复合材料，作为锂硒电池的正极活性材料，片状结构、硼掺杂和氧缺陷能显著增强基底平面的反应活性，促进Li2S的形成和溶解，增强锂硒电池的循环性能和倍率性能。

本发明授权一种硼掺杂的生长在碳管上的片状缺陷铌钛氧材料的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种硼掺杂的生长在碳管上的片状缺陷铌钛氧材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤一、将摩尔比为2:1的铌源和钛源加入到含有单壁碳纳米管的有机溶剂中搅拌均匀，然后加入表面活性剂和碱源搅拌均匀得到混合溶液；所述的表面活性剂为乌洛托品、十六烷基三甲基溴化铵和聚乙烯吡咯烷酮中的一种；所述铌源和钛源的总和与单壁碳纳米管的质量比为0.2-0.5:1；所述碱源是铌源摩尔比的1.5-6倍，表面活性剂的用量是铌源摩尔比的3-5倍； 步骤二、将混合溶液转移至反应釜中，放入均相反应器中在150-210℃下反应12-36h； 步骤三、反应结束后离心收集固形物，干燥处理得到碳管上生长的钛铌氧复合物前驱体； 步骤四、将碳管上生长的钛铌氧复合物前驱体与硼源分别放到两个磁舟中并转移至管式炉中高温煅烧处理，管式炉中高温煅烧的温度为600-900℃，煅烧时间为3-8h，得到硼掺杂的生长在碳管上的片状缺陷铌钛氧材料；所述碳管上生长的钛铌氧复合物前驱体与硼源的质量比为1:0.6～1.8； 所述硼掺杂的生长在碳管上的片状缺陷铌钛氧材料和硒粉复合作为锂硒电池正极材料，或者单独作为催化剂用于多硒化物的吸附。

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