华南理工大学;广东钇芯微半导体技术有限公司肖舒获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学;广东钇芯微半导体技术有限公司申请的专利一种具有自修复性能的铜基氧化钇涂层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119615062B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411878116.5，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种具有自修复性能的铜基氧化钇涂层的制备方法是由肖舒;陈茵婷;刘建诚;赵升;李强设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有自修复性能的铜基氧化钇涂层的制备方法在说明书摘要公布了：一种具有自修复性能的铜基氧化钇涂层的制备方法，包括以下步骤：将采用脉冲直流磁控溅射方式在无氧铜基体表面溅射沉积形成氧化钇涂层；将含有氧化钇涂层的无氧铜基体传输至冷却室内，进行静置冷形成涂层基体；将涂层基体送入管式炉内，并向管式炉内通入氩氢混合保护气体，进行高温退火后随炉冷却，以形成自修复性能的铜基氧化钇涂层。本发明自修复性能的铜基氧化钇涂层在开裂后，基底的无氧铜与环境中的氧原子结合生成的氧化铜填补裂缝，形成“镶嵌式”涂层结构，实现了涂层的自修复，阻止了氧化钇涂层的进一步开裂，裂纹处的氧化铜保护层可以有效防止氧气继续渗透到涂层下层和基底，从而减缓涂层的进一步氧化和损伤，提高涂层的使用寿命。
本发明授权一种具有自修复性能的铜基氧化钇涂层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有自修复性能的铜基氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S11，将经过气体离子源轰击清洗后的无氧铜基体送入镀膜工艺腔室内，采用脉冲直流磁控溅射方式在无氧铜基体表面溅射沉积形成氧化钇涂层； 步骤S12，将含有氧化钇涂层的无氧铜基体传输至冷却室内，进行静置冷却至预设温度，以形成涂层基体； 步骤S13，将涂层基体送入管式炉内，并向管式炉内通入氩氢混合保护气体，进行高温退火后随炉冷却，以形成自修复性能的铜基氧化钇涂层，其中，高温退火的温度范围为100~500℃。
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